Datasheet > MJD361T4-A

MJD361T4-A

更新时间： 2024-11-21 21:21:19

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	84K
描述
3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MJD361T4-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MJD361T4-A 数据手册

MJD360T4-A

MJD361T4-A

Low voltage complementary power transistors

Preliminary data

Features

■ Those devices are qualified for automotive

application

TAB

■ Low collector emitter saturation voltage

■ Surface-mounting TO-252 power package in

tape and reel

Applications

DPAK

TO-252

■ General purpose switching and amplifier

transistor

Description

Figure 1.

Internal schematic diagrams

The devices are manufactured in planar

technology with “base Island” layout. The

resulting transistor shows exceptional high gain

performance coupled with very low saturation

voltage.

Table 1.

Device summary

Order code

Marking

Polarity

Package

Packaging

MJD360T4-A

MJD361T4-A

MJD360

MJD361

NPN

PNP

DPAK

Tape and reel

August 2009

Doc ID 16126 Rev 1

1/7

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与MJD361T4-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJD41C	ONSEMI	获取价格	Complementary Power Transistors
MJD41C	FAIRCHILD	获取价格	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applica
MJD41C	MOTOROLA	获取价格	SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
MJD41C	NEXPERIA	获取价格	100 V, 6 A NPN high power bipolar transistorProduction
MJD41C	WEITRON	获取价格	NPN PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS
MJD41C	KEXIN	获取价格	Complementary Power Transistors
MJD41C	CJ	获取价格	TO-252-2L
MJD41C	YANGJIE	获取价格	TO-252
MJD41C(TO-251)	CJ	获取价格	Transistor
MJD41C(TO-251)	BL Galaxy Electrical	获取价格	100V,6A,General Purpose NPN Bipolar Transistor