5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.77 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 550 ns |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD41C(TO-251) | CJ |
获取价格 |
Transistor |
|
| MJD41C(TO-251) | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
100V,6A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
|
| MJD41C(TO-252) | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
100V,6A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
|
| MJD41C_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
|
| MJD41C_11 | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
|
| MJD41C1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
|
| MJD41C-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS |
|
| MJD41C-1(TO-251) | CJ |
获取价格 |
Transistor |
|
| MJD41CHE3 | MCC |
获取价格 |
|
|
| MJD41CNPN | TYSEMI |
获取价格 |
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
