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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.77 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 550 ns |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD41C(TO-251) | CJ |
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Transistor |
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| MJD41C(TO-251) | BL Galaxy Electrical |
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100V,6A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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| MJD41C(TO-252) | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
100V,6A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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| MJD41C_06 | ONSEMI |
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Complementary Power Transistors |
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| MJD41C_11 | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
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| MJD41C1 | MOTOROLA |
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Transistor |
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| MJD41C-1 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS |
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| MJD41C-1(TO-251) | CJ |
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Transistor |
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| MJD41CHE3 | MCC |
获取价格 |
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| MJD41CNPN | TYSEMI |
获取价格 |
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves |
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