5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD41CTF
MJD41CTF PDF预览

MJD41CTF

更新时间： 2024-11-01 13:11:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 50K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

MJD41CTF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.43
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

MJD41CTF 数据手册

 浏览型号MJD41CTF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJD41CTF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJD41CTF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MJD41CTF的Datasheet PDF文件第5页 
MJD41C  
General Purpose Amplifier  
Low Speed Switching Applications  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)  
Electrically Similar to Popular TIP41 and TIP41C  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
100  
CBO  
CEO  
EBO  
100  
V
5
V
I
I
I
6
10  
A
C
A
CP  
B
2
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.75  
150  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
I
= 30mA, I = 0  
100  
V
CEO  
CEO  
CES  
EBO  
C
B
I
I
I
V
V
V
= 60V, I = 0  
50  
10  
µA  
uA  
mA  
CE  
CE  
BE  
B
= 100V, V = 0  
BE  
= 5V, I = 0  
0.5  
C
h
* DC Current Gain  
V
V
= 4V, I = 0.3A  
30  
15  
FE  
CE  
CE  
C
= 4V, I = 3A  
75  
1.5  
2
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I
= 6A, I = 600mA  
V
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
V
= 6A, I = 4A  
C
CE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
= 10V, I = 500mA  
3
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, June 2001  
12345

中文翻译

下载PDF

MJD41CTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSH41CTF FAIRCHILD

类似代替

 Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic
MJD31CT4G ONSEMI

功能相似

 Complementary Power Transistors
MJD31CG ONSEMI

功能相似

 Complementary Power Transistors

与MJD41CTF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJD41R-HAF SWST

获取价格

 		功率三极管
MJD41V SWST

获取价格

 		功率三极管
MJD42 FAIRCHILD

获取价格

 		General Purpose Amplifier
MJD42_MJD42C FAIRCHILD

获取价格

 		General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
MJD42C FAIRCHILD

获取价格

 		General Purpose Amplifier
MJD42C ONSEMI

获取价格

 		Complementary Power Transistors
MJD42C MOTOROLA

获取价格

 		SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
MJD42C KEXIN

获取价格

 		Complementary Power Transistors
MJD42C NEXPERIA

获取价格

 		100 V, 6 A PNP high power bipolar transistorProduction
MJD42C CJ

获取价格

 		TO-251

与MJD41CTF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证