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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD41CTF
MJD41CTF PDF预览

MJD41CTF

更新时间： 2024-09-15 13:11:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 50K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

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MJD41CTF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.43
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

MJD41CTF 数据手册

 浏览型号MJD41CTF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MJD41CTF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MJD41CTF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MJD41CTF的Datasheet PDF文件第5页 
MJD41C  
General Purpose Amplifier  
Low Speed Switching Applications  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)  
Electrically Similar to Popular TIP41 and TIP41C  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
100  
CBO  
CEO  
EBO  
100  
V
5
V
I
I
I
6
10  
A
C
A
CP  
B
2
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.75  
150  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
I
= 30mA, I = 0  
100  
V
CEO  
CEO  
CES  
EBO  
C
B
I
I
I
V
V
V
= 60V, I = 0  
50  
10  
µA  
uA  
mA  
CE  
CE  
BE  
B
= 100V, V = 0  
BE  
= 5V, I = 0  
0.5  
C
h
* DC Current Gain  
V
V
= 4V, I = 0.3A  
30  
15  
FE  
CE  
CE  
C
= 4V, I = 3A  
75  
1.5  
2
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I
= 6A, I = 600mA  
V
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
V
= 6A, I = 4A  
C
CE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
= 10V, I = 500mA  
3
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, June 2001  
12345

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MJD41CTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSH41CTF FAIRCHILD

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