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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.22 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 12.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJD253T4G | ONSEMI |
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Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications |
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| MJD2873 | NEXPERIA |
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50 V, 2 A NPN high power bipolar transistorProduction |
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| MJD2873Q | DIODES |
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NPN, 50V, 2A, TO252 |
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| MJD2873-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 2 A NPN high power bipolar transistorProduction |
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| MJD29 | FAIRCHILD |
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General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
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| MJD2955 | MOTOROLA |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS |
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| MJD2955 | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Power Transistors |
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| MJD2955 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| MJD2955 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applica |
|
| MJD2955 | CJ |
获取价格 |
TO-252-2L |
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