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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJD253-1G
MJD253-1G PDF预览

MJD253-1G

更新时间： 2024-11-01 04:13:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管放大器PC
页数 文件大小 规格书
8页 98K
描述
Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications

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MJD253-1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369D-01, IPAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.38
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：225687Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：IPAK CASE 369D ISSUE CSamacsys Released Date：2015-11-03 12:30:39
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：12.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

MJD253-1G 数据手册

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MJD243 (NPN),  
MJD253 (PNP)  
Preferred Device  
Complementary Silicon  
Plastic Power Transistor  
DPAK−3 for Surface Mount Applications  
http://onsemi.com  
Designed for low voltage, low−power, high−gain audio amplifier  
applications.  
4.0 A, 100 V, 12.5 W  
Features  
POWER TRANSISTOR  
• Collector−Emitter Sustaining Voltage −  
V
= 100 Vdc (Min) @ I  
= 10 mAdc  
CEO(sus)  
C
• High DC Current Gain −  
4
h
= 40 (Min) @ I  
FE  
C
4
= 200 mAdc  
= 15 (Min) @ I = 1.0 Adc  
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves  
(No Suffix)  
C
2
1
1
Base  
3
2
Collector  
Emitter  
3
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suffix)  
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −  
DPAK−3  
CASE 369D  
STYLE 1  
DPAK−3  
CASE 369C  
STYLE 1  
V
= 0.3 Vdc (Max) @ I  
= 500 mAdc  
CE(sat)  
C
= 0.6 Vdc (Max) @ I = 1.0 Adc  
C
• High Current−Gain − Bandwidth Product −  
MARKING DIAGRAMS  
f
= 40 MHz (Min) @ I  
= 100 mAdc  
T
C
• Annular Construction for Low Leakage −  
= 100 nAdc @ Rated V  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V  
Machine Model, C u 400 V  
YWW  
J253G  
YWW  
J2x3G  
I
CBO  
CB  
Y
= Year  
• Pb−Free Packages are Available  
WW = Work Week  
x
= 4 or 5  
= Pb−Free Package  
G
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
March, 2007 − Rev. 10  
MJD243/D  
12345678

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MJD253-1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJD253-001 ONSEMI

完全替代

 4.0 A，100 V PNP 双极功率晶体管

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