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MA3S781EG

更新时间： 2024-11-12 18:52:55

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	213K
描述
Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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MA3S781EG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.81
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	2
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MA3S781EG 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA3S781DG, MA3S781EG

Silicon epitaxial planar type

For high speed switching

For wave detection

■ Package

•

Code

■ Features

SSMini3-F3

Pin Name

MA3S781DG

1: Cathode 1

2: Cathode 2

3: Anode

•

Two MA3S7810G is contained in one package

High-density mounting is possible

Low forward voltage V_F

•

MA3S781EG

1: Anode 1

2: Anode 2

3: Cathode

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

■ Marking Symbol

Parameter

Reverse voltage

Maximum peak reverse voltage

Symbol

V_R

Rating

Unit

MA3S781DG: M2P

MA3S781EG: M2R

V_RM

I_F

Forward current

Single

Double

■ Internal Connection

Peak forward current Single

Double

I_FM

150

110

Junction temperature

Storage temperature

T_j

125

°C

T_stg

−55 to +125

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Forward voltage

Symbol

V_F1

V_F2

I_R

Conditions

Min

Typ

Max

0.4

1.0

Unit

I_F= 1 mA

I_F= 30 mA

V_R= 30 V

Reverse current

µA

Terminal capacitance

Reverse recovery time ^*

C_t

V_R= 1 V, f = 1 MHz

1.5

1.0

t_rr

I_F= I_R= 10 mA

I_rr= 1 mA, R_L= 100 Ω

Detection efficiency

V_IN= 3 V_(peak), f = 30 MHz

R_L= 3.9 kΩ, C_L= 10 pF

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.

2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body

and the leakage of current from the operating equipment.

ꢀ

3. Absolute frequency of input and output is 2 GHz. 4. : t_rrmeasurement circuit

Bias Application Unit (N-50BU)

Input Pulse

t_p

Output Pulse

t_r

10%

t_rr

I_F

90%

V_R

I_rr= 1 mA

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 10 mA

I_R= 10 mA

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

Wave Form Analyzer

(PG-10N)

(SAS-8130)

R_s= 50 Ω

R_i= 50 Ω

Publication date: October 2007

SKH00203AED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MA3S781FG	PANASONIC	获取价格	Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3S795	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3S7950G	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3S795D	PANASONIC	获取价格	Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3S795DG	PANASONIC	获取价格	Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3S795E	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3S795E0L	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-
MA3SD05	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon, SSMINI3-F2, SC-89, 3 PIN
MA3SD05F	PANASONIC	获取价格	Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, SC-81, 3 PIN

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