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MA3U749

更新时间: 2024-11-11 22:14:51
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 微波混频二极管
页数 文件大小 规格书
2页 43K
描述
Silicon epitaxial planar type (cathode common)

MA3U749 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-63
包装说明:R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.81
Is Samacsys:N外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODE最大正向电压 (VF):0.55 V
频带:ULTRA HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流:40 A元件数量:2
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最大输出电流:5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

MA3U749 数据手册

 浏览型号MA3U749的Datasheet PDF文件第2页 
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA3U749  
Silicon epitaxial planar type (cathode common)  
Unit : mm  
For switching power supply  
6.5 0.1  
5.3 0.1  
4.35 0.1  
2.3 0.1  
0.5 0.1  
I Features  
Surface mounting type small U-type package  
Low forward rise voltage VF  
Cathode common dual type  
1.0 0.1  
0.1 0.05  
0.93 0.1  
0.5 0.1  
0.75 0.1  
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
2.3 0.1  
4.6 0.1  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
Rating  
40  
Unit  
V
Repetitive peak reverse voltage  
Average forward current  
5
mA  
A
1 : Anode  
1
2
3
2 : Cathode  
(Common)  
3 : Anode  
Non-repetitive peak forward  
surge current*  
40  
U-Type Package  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
40 to +125  
40 to +125  
°C  
°C  
Tstg  
Note)  
* : Half sine-wave: 10 ms/cycle  
I Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse current (DC)  
Forward voltage (DC)  
Thermal resistance*  
Symbol  
IR  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
mA  
V
VR = 40 V, TC = 25°C  
IF = 2.5 A, TC = 25°C  
Between junction and case  
1
VF  
0.55  
12.5  
Rth(j-c)  
°C/W  
Note) 1. Rated input/output frequency: 1 000 MHz  
2. * : TC = 25°C  
1

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