MA3V175E

更新时间： 2024-11-11 22:26:43

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		微波混频二极管
页数	文件大小	规格书
2页	51K
描述
Silicon epitaxial planar type

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MA3V175E 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	4 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	频带：	VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	最大非重复峰值正向电流：	0.5 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

MA3V175E 数据手册

Switching Diodes

MA3V175E, MA3V176E

Silicon epitaxial planar type

Unit : mm

4.0 0.2

For switching circuits

I Features

•

Short reverse recovery time t_rr

•

Small terminal capacitance, C_t

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_R

Rating

Unit

marking

MA3V175E

MA3V176E

MA3V175E

MA3V176E

Single

Reverse voltage

(DC)

V_RM

Peak reverse

voltage

1.27 1.27

2.54 0.15

1 : Anode

2 : Cathode

3 : Anode

I_F

100

Forward current

(DC)

Double

150

New S-Type Package

Single

I_FM

225

Peak forward

current

Internal Connection

Double

340

Single

I_FSM

500

Non-repetitive peak

forward surge current

Double

750

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

Note)

* : t = 1 s

I Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Symbol

I_R

Conditions

Min

Typ

Max

0.1

Unit

Reverse current (DC)

MA3V175E

MA3V176E

V_R= 35 V

V_R= 75 V

µA

0.1

Forward voltage (DC)

V_F

V_R

I_F= 100 mA

1.2

Reverse voltage (DC) MA3V175E

MA3V176E

I_R= 100 µA

Terminal capacitance

Reverse recovery time^*

C_t

t_rr

V_R= 0 V, f = 1 MHz

I_F= 10 mA, V_R= 6 V

I_rr= 0.1 · I_R, R_L= 100Ω

Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz

2. * : t_rrmeasuring circuit

Input Pulse

DUT

Output Pulse

t_rr

t_r

t_P

I_F

Sampling

10%

Oscilloscope

R_i= 50 Ω

I_rr= 0.1·I

90%

I_F

R_s= 50 Ω

V = V_R+ I_R·R_S

t_p= 100 ns

t_r= 0.6 ns

δ = 0.05

I_F= 10 mA

V_R= 6 V

R_L= 100 Ω

中文翻译

下载PDF

与MA3V175E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MA3V176D	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3V176E	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3V177	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3X028	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type variable resistor
MA3X0280A	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type variable resistor
MA3X0280B	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type variable resistor
MA3X028TA	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type variable resistor
MA3X028TB	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type variable resistor
MA3X028WA	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type variable resistor
MA3X028WB	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type variable resistor

与MA3V175E相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MA3V175E

MA3V175E 技术参数

MA3V175E 数据手册

与MA3V175E相关器件

与MA3V175E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MA3V175E

MA3V175E 技术参数

MA3V175E 数据手册

与MA3V175E相关器件

与MA3V175E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？