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MA3X199

更新时间： 2024-09-23 22:14:59

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松下 - PANASONIC		/
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Silicon epitaxial planar type

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MA3X199 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.59	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	0.5 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	250 V
最大反向恢复时间：	0.06 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MA3X199 数据手册

Switching Diodes

MA3X199

Silicon epitaxial planar type

2.8 −⁺0⁰.^.3²

Unit : mm

1.5 −⁺0⁰.^.205⁵

0.65 0.15

For high voltage switching circuit

0.65 0.15

I Features

•

High breakdown voltage: V_R= 200 V

Short reverse recovery time t_rr

Small package, allowing automatic mounting

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_R

Rating

200

Unit

Reverse voltage (DC)

0.1 to 0.3

0.4 0.2

Repetitive peak reverse voltage

Average forward current

Repetitive peak forward current

V_RRM

I_F(AV)

I_FRM

250

100

1 : Anode

2 : NC

3 : Cathode

JEDEC : TO-236

EIAJ : SC-59

Mini Type Package (3-pin)

225

Non-repetitive peak forward

surge current^*

I_FSM

500

Marking Symbol: M3A

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

Internal Connection

T_stg

−55 to +150

Note)

* : t = 1 s

I Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Terminal capacitance

Reverse recovery time^*

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA

I_R

V_F

C_t

t_rr

V_R= 200 V

I_F= 100 mA

1.2

V_R= 0 V, f = 1 MHz

I_F= I_R= 10 mA

I_rr= 1 mA, R_L= 100 Ω

Note) 1. Rated input/output frequency: 20 MHz

2. * : t_rrmeasuring circuit

Bias Application Unit N-50BU

Input Pulse

t_p

Output Pulse

t_rr

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 1mA

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 10 mA

I_R= 10 mA

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

W.F.Analyzer

(PG-10N)

(SAS-8130)

R_s= 50 Ω

R_i= 50 Ω

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