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Datasheet > 二极管 > 微波混频二极管> MA3X704A
MA3X704A PDF预览

MA3X704A

更新时间： 2024-09-23 22:14:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 微波混频二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 52K
描述
Silicon epitaxial planar type

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MA3X704A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
风险等级：5.81Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：MIXER DIODE最大正向电压 (VF)：0.4 V
频带：L BANDJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.03 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MA3X704A 数据手册

 浏览型号MA3X704A的Datasheet PDF文件第2页 
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA3X704, MA3X704A  
Silicon epitaxial planar type  
Unit : mm  
2.8 −+ 00..32  
1.5 −+ 00..2055  
For switching circuits  
0.65 0.15  
0.65 0.15  
For wave detection circuit  
1
2
I Features  
3
•
Low forward rise voltage (VF) and satisfactory wave detection  
efficiency (η)  
•
•
Small temperature coefficient of forward characteristic  
Extremely low reverse current IR  
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
0.1 to 0.3  
0.4 0.2  
Parameter  
Symbol  
VR  
Rating  
Unit  
V
MA3X704  
MA3X704A  
MA3X704  
MA3X704A  
15  
1 : Anode  
2 : NC  
3 : Cathode  
Reverse voltage  
JEDEC : TO-236  
EIAJ : SC-59  
(DC)  
30  
Mini Type Package (3-pin)  
VRM  
15  
V
Peak reverse  
voltage  
30  
150  
Marking Symbol  
• MA3X704 : M1K • MA3X704A : M1L  
Internal Connection  
Peak forward current  
Forward current (DC)  
Junction temperature  
Storage temperature  
IFM  
IF  
mA  
mA  
°C  
30  
Tj  
125  
1
3
2
Tstg  
−55 to +125  
°C  
I Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
IR  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
200  
300  
0.4  
1
Unit  
nA  
Reverse current (DC)  
MA3X704  
VR = 15 V  
VR = 30 V  
IF = 1 mA  
MA3X704A  
Forward voltage (DC)  
VF1  
VF2  
Ct  
V
V
IF = 30 mA  
Terminal capacitance  
Reverse recovery time*  
VR = 1 V, f = 1 MHz  
1.5  
1
pF  
ns  
trr  
IF = IR = 10 mA  
Irr = 1 mA, RL = 100 Ω  
Detection efficiency  
η
Vin = 3 V(peak), f = 30 MHz  
65  
%
RL = 3.9 kΩ, CL = 10 pF  
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a  
human body and the leakage of current from the operating equipment  
ꢀ
2. Rated input/output frequency: 2 000 MHz  
3. * : trr measuring instrument  
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
Output Pulse  
trr  
tp  
tr  
t
10%  
90%  
IF  
t
A
VR  
Irr = 1 mA  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
IR = 10 mA  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
W.F.Analyzer  
(SAS-8130)  
Ri = 50 Ω  
(PG-10N)  
Rs = 50 Ω  
1
12

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