MA3X704D

更新时间： 2024-09-23 22:14:59

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松下 - PANASONIC		微波混频二极管光电二极管
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描述
Silicon epitaxial planar type

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MA3X704D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.4 V
频带：	L BAND	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.03 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MA3X704D 数据手册

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA3X704D, MA3X704E

Silicon epitaxial planar type

Unit : mm

2.8 −⁺0⁰.^.3²

1.5 −⁺0⁰.^.205⁵

0.65 0.15

For switching circuits

0.65 0.15

For wave detection circuit

I Features

•

Two MA3X704As are contained in one package

Low forward rise voltage (V_F) and satisfactory wave detection

efficiency (η)

•

Small tmperature coefficient of forward characteristic

Extremely low reverse current I_R

0.1 to 0.3

0.4 0.2

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_R

Rating

Unit

MA3X704D MA3X704E

Reverse voltage (DC) MA3X704D/E

150

JEDEC : TO-236

EIAJ : SC-59

Mini Type Package (3pin)

Cathode

Anode

Cathode

Single

I_FM

Peak forward

current

Double^*

Single

110

Marking Symbol

I_F

Forward current

(DC)

• MA3X704D : M2P • MA3X704E : M2R

Double^*

Internal Connection

Junction temperature

Storage temperature

T_j

125

°C

T_stg

−55 to +125

Note)

* : Value per chip

I Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Symbol

I_R

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA

V_R= 30 V

I_F= 1 mA

V_F1

V_F2

C_t

0.4

1.0

I_F= 30 mA

Terminal capacitance

Reverse recovery time^*

V_R= 1 V, f = 1 MHz

1.5

1.0

t_rr

I_F= I_R= 10 mA

I_rr= 1 mA, R_L= 100 Ω

Detection efficiency

V_in= 3 V_(peak), f = 30 MHz

R_L= 3.9 kΩ, C_L= 10 pF

Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a

human body and the leakage of current from the operating equipment

ꢀ

2. Rated input/output frequency: 2 000 MHz

3. * : t_rrmeasuring instrument

Bias Application Unit N-50BU

Input Pulse

t_p

Output Pulse

t_rr

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 1 mA

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 10 mA

I_R= 10 mA

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

(PG-10N)

R_s= 50 Ω

W.F.Analyzer

(SAS-8130)

R_i= 50 Ω

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