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MA3X786E

更新时间： 2024-11-11 22:14:59

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松下 - PANASONIC		/
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2页	49K
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Silicon epitaxial planar type

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MA3X786E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.82	其他特性：	HIGH SPEED SWITCH
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.55 V
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	1 A	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向恢复时间：	0.002 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MA3X786E 数据手册

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA3X786E

Silicon epitaxial planar type

Unit : mm

For super-high speed switching circuit

For small current rectification

2.8 −⁺0⁰.^.3²

1.5 −⁺0⁰.^.205⁵

0.65 0.15

I Features

•

Two MA3X786s are contained in one package (cathode common)

Allowing to rectify under (I_F(AV)= 100 mA) condition

Optimum for high-frequency rectification because of its short

reverse recovery time (t_rr)

•

Low V_F(forward rise voltage), with high rectification efficiency

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

0.1 to 0.3

0.4 0.2

Parameter

Symbol

V_R

Rating

Unit

Reverse voltage (DC)

1 : Anode 1

2 : Anode 2

3 : Cathode 1, 2

Repetitive peak reverse voltage

V_RRM

I_FM

JEDEC : TO-236

EIAJ : SC-59A

Mini Type Package(3-pin)

Single

300

200

100

Peak forward

current

Double^*

Single

Marking Symbol: M3Z

I_F(AV)

Average forward

current

Double^*

Internal Connection

Non-repetitive peak forward

I_FSM

surge current^*

Junction temperature

Storage temperature

T_j

125

°C

T_stg

−55 to +125

Note)

The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave (non-repetitive)

: Value per chip

I Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Terminal capacitance

Reverse recovery time^*

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA

I_R

V_F

C_t

t_rr

V_R= 30 V

I_F= 100 mA

0.55

V_R= 0 V, f = 1 MHz

I_F= I_R= 100 mA

I_rr= 10 mA, R_L= 100 Ω

Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a

human body and the leakage of current from the operating equipment.

ꢀ

2. Rated input/output frequency: 250 MHz

3. * : t_rrmeasuring circuit

Bias Application Unit N-50BU

Input Pulse

t_p

Output Pulse

t_rr

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 10 mA

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 100 mA

I_R= 100 mA

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

(PG-10N)

R_s= 50 Ω

W.F.Analyzer

(SAS-8130)

R_i= 50 Ω

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MA3X791	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3XD11	TYSEMI	获取价格	IF(AV) = 1 A rectification is possible
MA3XD11	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3XD11	KEXIN	获取价格	Schottky Barrier Diodes
MA3XD14E	TYSEMI	获取价格	Mini type 3-pin package
MA3XD14E	KEXIN	获取价格	Schottky Barrier Diodes
MA3XD14E	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type (cathode common)

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