MA3XD17

更新时间： 2024-11-11 22:14:59

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松下 - PANASONIC		微波混频二极管光电二极管
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2页	47K
描述
Silicon epitaxial planar type

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MA3XD17 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.58 V	频带：	VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	最大非重复峰值正向电流：	1.5 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MA3XD17 数据手册

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA3XD17

Silicon epitaxial planar type

Unit : mm

2.8 −⁺0⁰.^.3²

1.5 −⁺0⁰.^.205⁵

For rectification

0.65 0.15

For protection against reverse current

I Features

•

Mini type 3-pin package

High breakdown voltage V_R= 100 V

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Reverse voltage (DC)

Peak reverse voltage

Symbol

V_R

Rating

100

Unit

0.1 to 0.3

0.4 0.2

V_RM

I_FSM

100

1 : Anode

2 : NC

3 : Cathode

Non-repetitive peak forward

surge current^*

1.5

Mini Type Package (3-pin)

Average forward current

Junction temperature

Storage temperature

I_F(AV)

T_j

300

125

°C

Marking Symbol: M5K

Internal Connection

T_stg

−55 to +150

°C

Note)

: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave

(non-repetitive)

I Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Terminal capacitance

Reverse recovery time^*

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

200

Unit

µA

I_R

V_F

C_t

t_rr

V_R= 100 V

I_F= 300 mA

0.50

100

0.58

V_R= 0 V, f = 1 MHz

I_F= I_R= 100 mA

I_rr= 0.1 · I_R, R_L= 100 Ω

Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a

human body and the leakage of current from the operating equipment.

1. Rated input/output frequency: 250 MHz

3. * : t_rrmeasuring circuit

Bias Application Unit N-50BU

Input Pulse

t_p

Output Pulse

t_rr

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 0.1 · I_R

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 100 mA

I_R= 100 mA

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

(PG-10N)

R_s= 50 Ω

W.F.Analyzer

(SAS-8130)

R_i= 50 Ω

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MA3XD21	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3XD21	KEXIN	获取价格	Schottky Barrier Diodes
MA3XD21	TYSEMI	获取价格	IF(AV) = 1 A rectification is possible
MA3Z0300A	PANASONIC	获取价格	Stabistor Diode, 0.61V V(FM), Silicon, SMINI2-F1, 2 PIN
MA3Z0300B	PANASONIC	获取价格	Stabistor Diode, 0.64V V(FM), Silicon, SMINI2-F1, 2 PIN
MA3Z030WA	PANASONIC	获取价格	Stabistor Diode, 1.28V V(FM), Silicon, SMINI2-F1, 2 PIN
MA3Z030WB	PANASONIC	获取价格	Stabistor Diode, 1.36V V(FM), Silicon, SMINI2-F1, 2 PIN
MA3Z070	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3Z080D	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
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