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MA3Z792

更新时间： 2024-11-11 22:08:03
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松下 - PANASONIC 二极管
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4页 73K
描述
Schottky Barrier Diodes (SBD)

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MA3Z792 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-79包装说明：R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.84其他特性：HIGH SPEED SWITCH
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.55 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F3最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.002 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

MA3Z792 数据手册

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Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA3Z792 (MA792)  
Silicon epitaxial planar type  
Unit: mm  
+0.1  
–0  
+0.1  
For super high speed switching  
For small current rectification  
0.3  
0.15  
–0.05  
3
ꢀ Features  
•
•
•
High-density mounting is possible  
1
2
(0.65)(0.65)  
0.9 0.1  
IF(AV) = 100 mA rectification is possible  
Optimum for high frequency rectification because of its short  
reverse recovery time (trr)  
1.3 0.1  
2.0 0.2  
5°  
•
•
Low forward voltage VF and good rectification efficiency  
S-Mini type 3-pin package  
ꢀ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
VR  
Rating  
30  
Unit  
V
1 : Anode  
2 : N.C.  
3 : Cathode  
Reverse voltage (DC)  
Repetitive peak reverse-voltage  
Peak forward current  
SMini3-F1 Package  
VRRM  
IFM  
IF(AV)  
IFSM  
30  
V
Marking Symbol: M3T  
300  
100  
1
mA  
mA  
A
Average forward current  
Internal Connection  
Non-repetitive peak forward-  
surge-current *  
3
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
125  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +125  
Note) : The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)  
*
1
2
ꢀ Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse current (DC)  
Forward voltage (DC)  
Terminal capacitance  
Reverse recovery time *  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
15  
Unit  
µA  
V
IR  
VF  
Ct  
trr  
VR = 30 V  
IF = 100 mA  
0.55  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
20  
pF  
ns  
IF = IR = 100 mA  
2.0  
Irr = 10 mA, RL = 100 Ω  
Note) 1. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body  
and the leakage of current from the operating equipment.  
ꢀ
2. Rated input/output frequency: 250 MHz 3. : trr measuring instrument  
*
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 10 mA  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 100 mA  
IR = 100 mA  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
Wave Form Analyzer  
(PG-10N)  
(SAS-8130)  
Rs = 50 Ω  
Ri = 50 Ω  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: August 2001  
SKH00096AED  
1
1234

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MA3Z792 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MA792WA PANASONIC

功能相似

 Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F1
MA792 PANASONIC

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 Schottky Barrier Diodes (SBD)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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MA3Z792E PANASONIC

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 		Silicon epitaxial planar type
MA3Z792E(MA792WK) ETC

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 		小信号デバイス － ダイオード － ショットキーバリヤダイオード(SBD)
MA3Z792EG PANASONIC

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 		Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
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