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MA3Z792EG

更新时间： 2024-11-12 21:12:11

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	226K
描述
Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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MA3Z792EG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.81	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	VERY HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	2	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MA3Z792EG 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA3Z792DG, MA3Z792EG

Silicon epitaxial planar type

For super high speed switching

For small current rectification

■ Features

■ Package

•

Two MA3Z7920G is contained in one package

Forward current (Average) I_F(AV)= 100 mA rectification is possible

Optimum for high frequency rectification because of its short

reverse recovery time t_rr

•

Code

SMini3-F2

Pin Name

MA3Z792DG

1: Cathode 1

2: Cathode 2

3: Anode

•

MA3Z792EG

1: Anode 1

2: Anode 2

3: Cathode

•

Low forward voltage V_Fand good rectification efficiency

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

■ Marking Symbol

Parameter

Reverse voltage

Repetitive peak reverse voltage

Symbol

V_R

Rating

Unit

MA3Z792DG: M3Y

MA3Z792EG: M3Z

V_RRM

I_F

Forward current

Single

100

Double ^*

Single

■ Internal Connection

Peak forward

current

I_FM

300

200

Double ^*

Non-repetitive peak forward

I_FSM

surge current ^*

Junction temperature

Storage temperature

T_j

125

°C

T_stg

−55 to +125

Note) 1: Value of each diode in double diodes used.

2: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Forward voltage

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_F

I_R

I_F= 100 mA

V_R= 30 V

0.55

Reverse current

µA

Terminal capacitance

Reverse recovery time ^*

C_t

t_rr

V_R= 0 V, f = 1 MHz

I_F= I_R= 100 mA

I_rr= 10 mA, R_L= 100 Ω

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.

2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body

and the leakage of current from the operating equipment.

3. Absolute frequency of input and output is 250 MHz.

4. : t_rrmeasurement circuit

Bias Application Unit (N-50BU)

Input Pulse

t_p

Output Pulse

t_rr

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 10 mA

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 100 mA

I_R= 100 mA

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

(PG-10N)

Wave Form Analyzer

(SAS-8130)

R_s= 50 Ω

R_i= 50 Ω

Publication date: October 2007

SKH00215BED

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