MA3Z080E

更新时间： 2024-11-11 22:15:03

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Silicon epitaxial planar type

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MA3Z080E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.84
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	1.2 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	频带：	VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	85 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	35 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MA3Z080E 数据手册

Band Switching Diodes

MA3Z080D, MA3Z080E

Silicon epitaxial planar type

Unit : mm

For band switching

2.1 0.1

0.425

1.25 0.1

0.425

I Features

•

Low forward dynamic resistance r_f

Less voltage dependence of diode capacitance C_D

S-mini type package containing two elements, allowing

downsizing of equipment and automatic insertion through the

taping package

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_R

Rating

Unit

1 : Cathode 1

2 : Cathode 2

3 : Anode 1, 2

EIAJ : SC-70

Reverse voltage (DC)

Forward current (DC)

Operating ambient temperature^*

Storage temperature

I_F

100

°C

T_opr

T_stg

−25 to +85

−55 to +150

Flat S-Mini Type Package (3-pin)

°C

Marking Symbol

Note)

* : Maximum ambient temperature during operation

•

MA3Z080D : M1X

MA3Z080E : M1Y

Internal Connection

I Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Diode capacitance

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_R

V_F

C_D

r_f

V_R= 33 V

I_F= 100 mA

0.01

0.92

0.9

100

1.0

V_R= 6 V, f = 1 MHz

1.2

Ω

Forward dynamic resistance^*

I_F= 2 mA, f = 100 MHz

0.65

0.85

Note) 1．Each characteristic is a standard for individual diodes

2．Rated input/output frequency: 100 MHz

ꢀ

3．* : r_fmeasuring instrument: YHP MODEL 4191A RF IMPEDANCE ANALYZER

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