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MA3X748 PDF预览

MA3X748

更新时间： 2024-11-11 22:14:59
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松下 - PANASONIC 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
Silicon epitaxial planar type

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MA3X748 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.82配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.3 VJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：3 A
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：20 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MA3X748 数据手册

 浏览型号MA3X748的Datasheet PDF文件第2页 
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA3X748  
Silicon epitaxial planar type  
Unit : mm  
2.8 −+ 00..32  
1.5 −+ 00..2055  
For high-frequency rectification  
0.65 0.15  
0.65 0.15  
I Features  
1
2
•
•
Low VF type of MA2Z720  
High rectification efficiency caused by its low forward-rise-  
voltage (VF)  
3
•
Optimum for high-frequency rectification because of its short  
reverse recovery time (trr)  
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
VR  
Rating  
20  
Unit  
V
0.1 to 0.3  
0.4 0.2  
Reverse voltage (DC)  
Repetitive peak reverse voltage  
Average forward current  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
20  
V
1 : Anode  
2 : NC  
3 : Cathode  
500  
3
mA  
A
JEDEC : TO-236  
EIAJ : SC-59  
Non-repetitive peak forward  
surge current*  
Mini Type Package (3-pin)  
Marking Symbol: M4E  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
125  
°C  
°C  
Internal Connection  
Tstg  
−55 to +125  
Note)  
*
: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave  
(non-repetitive)  
1
2
3
I Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse current (DC)  
Forward voltage (DC)  
Symbol  
IR  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
30  
Unit  
µA  
V
VR = 10 V  
IF = 500 mA  
IF = 10 mA  
VF1  
VF2  
Ct  
0.5  
0.3  
V
Terminal capacitance  
Reverse recovery time*  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
60  
5
pF  
ns  
trr  
IF = IR = 100 mA  
Irr = 10 mA, RL = 100 Ω  
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a  
human body and the leakage of current from the operating equipment.  
2. Rated input/output frequency: 400 MHz  
3. * : trr measuring instrument  
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 10 mA  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 100 mA  
IR = 100 mA  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Rs = 50 Ω  
W.F.Analyzer  
(SAS-8130)  
Ri = 50 Ω  
1
12

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