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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MA3X200F
MA3X200F PDF预览

MA3X200F

更新时间： 2024-11-11 22:14:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
Silicon epitaxial planar type

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MA3X200F 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.84Is Samacsys：N
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：0.5 A端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：80 V最大反向恢复时间：0.1 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MA3X200F 数据手册

 浏览型号MA3X200F的Datasheet PDF文件第2页 
Switching Diodes  
MA3X200F  
Silicon epitaxial planar type  
2.8 −+ 00..32  
Unit : mm  
1.5 −+ 00..2055  
0.65 0.15  
For switching circuits  
0.65 0.15  
1
2
I Features  
•
Two elements contained in one package, allowing high-density  
mounting  
3
•
•
Soft recovery characteristic (Trr: 100 ns)  
Small terminal capacitance, Ct  
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse voltage (DC)  
Peak reverse voltage  
Symbol  
VR  
Rating  
80  
Unit  
V
0.1 to 0.3  
0.4 0.2  
1 : Anode 1  
2 : Cathode 2  
3 : Cathode 1  
Anode 2  
VRM  
IF  
80  
V
Single  
Series  
Single  
Series  
Single  
Series  
100  
mA  
Forward voltage  
(DC)  
75  
Mini Type Package (3-pin)  
IFM  
225  
mA  
mA  
Peak forward  
current  
Marking Symbol: M5M  
Internal Connection  
170  
IFSM  
500  
Non-repetitive peak  
*
forward surge current  
325  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
1
2
Tstg  
−55 to +150  
3
Note)  
* : t = 1 s  
I Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
IR1  
Conditions  
Min  
80  
Typ  
Max  
10  
Unit  
nA  
nA  
V
Reverse current (DC)  
VR = 75 V  
IR2  
VR = 5 V, Ta = 85°C  
IF = 100 mA  
20  
Forward voltage (DC)  
Reverse voltage (DC)  
Terminal capacitance  
Reverse recovery time*  
VF  
1.2  
VR  
IR = 100 µA  
V
Ct  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
2.5  
pF  
ns  
trr  
IF = 10 mA, VR = 6 V  
100  
Irr = 0.1 · IR, RL = 100 Ω  
Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz  
2. * : trr measuring circuit  
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 0.1 · IR  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
VR = 6 V  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Rs = 50 Ω  
W.F.Analyzer  
(SAS-8130)  
Ri = 50 Ω  
1
12

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