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MA3X075E

更新时间： 2024-11-11 22:13:03

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松下 - PANASONIC		/
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Silicon epitaxial planar type

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MA3X075E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.84
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	1.2 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	VERY HIGH FREQUENCY	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MA3X075E 数据手册

Band Switching Diodes

MA3X075E

Silicon epitaxial planar type

2.8 −⁺0⁰.^.3²

Unit : mm

1.5 −⁺0⁰.^.205⁵

0.65 0.15

For band switching

0.65 0.15

I Features

•

Low forward dynamic resistance r_f

Less voltage dependence of diode capacitance C_D

Mini type package, allowing downsizing of equipment and

automatic insertion through the taping package

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_R

Rating

Unit

0.1 to 0.3

0.4 0.2

Reverse voltage (DC)

Forward current (DC)

Operating ambient temperature^*

Storage temperature

I_F

100

°C

1 : Anode 1

2 : Anode 2

3 : Cathode 1, 2

JEDEC : TO-236

EIAJ : SC-59A

Mini Type Package (3-pin)

T_opr

T_stg

−25 to +85

−55 to +150

°C

Note)

* : Maximum ambient temperature during operation

Marking Symbol: M1Y

Internal Connection

I Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Diode capacitance

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

100

Unit

I_R

V_F

C_D

r_f

V_R= 33 V

I_F= 100 mA

0.01

0.92

0.9

V_R= 6 V, f = 1 MHz

1.2

0.85

Ω

Forward dynamic resistance^*

I_F= 2 mA, f = 100 MHz

0.65

Note) 1．Each characteristic is a standard for individual diodes

2．Rated input/output frequency: 100 MHz

ꢀ

3. * : r_fmeasuring instrument: YHP MODEL 4191A RF IMPEDANCE ANALYZER

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