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MA3V177

更新时间： 2024-11-11 22:26:43

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描述
Silicon epitaxial planar type

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MA3V177 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.84	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：	5.5 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
频带：	VERY HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

MA3V177 数据手册

Switching Diodes

MA3V177

Silicon epitaxial planar type

Unit : mm

4.0 0.2

For switching circuits

I Features

•

Small terminal capacitance, C_t

Can be connected in series

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

marking

Parameter

Reverse voltage (DC)

Peak reverse voltage

Forward current (DC)

Peak forward current

Junction temperature

Storage temperature

Symbol

V_R

Rating

Unit

V_RM

I_F

1.27 1.27

100

°C

1 : Anode

2 : Cathode

Anode

2.54 0.15

I_FM

200

T_j

150

3 : Cathode

New S-Type Package

T_stg

−55 to +150

°C

Internal Connection

I Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Reverse voltage (DC)

Terminal capacitance

Symbol

I_R

Conditions

Min

Typ

Max

0.1

Unit

µA

V_R= 40 V

V_F

I_F= 100 mA

1.2

V_R

I_R= 100 µA

C_t1

V_R= 0 V, f = 1 MHz

5.5

3.0

C_t2

Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz

2. * : Between pins 3 and 2

: Between pins 2 and 1

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