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MA3U760

更新时间: 2024-11-11 22:14:51
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松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
Silicon epitaxial planar type (cathode common)

MA3U760 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-63
包装说明:R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.84
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
最大正向电压 (VF):0.85 V频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流:40 A
元件数量:2端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:90 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

MA3U760 数据手册

 浏览型号MA3U760的Datasheet PDF文件第2页 
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA3U760  
Silicon epitaxial planar type (cathode common)  
Unit : mm  
6.5 0.1  
5.3 0.1  
4.35 0.1  
2.3 0.1  
For switching power supply  
0.5 0.1  
I Features  
Small U-type package and surface mounting  
High breakdown voltage VR  
Low forward rise voltage VF  
1.0 0.1  
0.1 0.05  
0.93 0.1  
0.5 0.1  
Cathode common dual type  
0.75 0.1  
2.3 0.1  
4.6 0.1  
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
Rating  
90  
Unit  
V
Repetitive peak reverse voltage  
Average forward current  
1
2
3
1 : Anode  
2 : Cathode  
(Common)  
3 : Anode  
5
A
Non-repetitive peak forward  
surge current*  
40  
A
U-Type Package  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
40 to +125  
40 to +125  
°C  
°C  
Tstg  
Note)  
* : Half sine-wave: 10 ms/cycle  
I Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse current (DC)  
Forward voltage (DC)  
Thermal resistance*  
Symbol  
IR  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
mA  
V
VR = 90 V, TC = 25°C  
IF = 2.5 A, TC = 25°C  
Between junction and case  
1.0  
VF  
0.85  
12.5  
Rth(j-c)  
°C/W  
Note) 1. Rated input/output frequency: 1 000 MHz  
2. * : TC = 25°C  
1

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