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MA3UD06

更新时间： 2024-11-12 19:58:59

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松下 - PANASONIC		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	172K
描述
Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, U-TYPE PACKAGE-3

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MA3UD06 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.84	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	VERY HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	2	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

MA3UD06 数据手册

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA3UD06

Silicon epitaxial planar type (cathode common)

Unit : mm

For switching power supply

6.5 0.1

5.3 0.1

4.35 0.1

2.3 0.1

0.5 0.1

I Features

•

U-type package

Allowing to rectify under (I_F(AV)= 6 A) condition

Low forward rise voltage V_F(V_F< 0.45 V)

Cathode common type

1.0 0.1

0.1 0.05

0.93 0.1

0.5 0.1

0.75 0.1

2.3 0.1

4.6 0.1

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

Rating

Unit

Repetitive peak reverse voltage

1 : Anode

Average forward current^*

2 : Cathode

(Common)

3 : Anode

Non-repetitive peak forward

surge current^*

U-Type Package

Junction temperature

Storage temperature

Note) *1 : T_C= 25°C

T_j

−40 to +125

°C

T_stg

*2 : Sine half-wave; 10 ms/cycle

I Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Thermal resistance^*

Symbol

I_R

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_R= 30 V, T_C= 25°C

I_F= 3 A, T_C= 25°C

1.0

V_F

0.45

12.5

R_th(j-c)

Between junction and case

°C/W

Note) 1. Rated input/output frequency: 200 MHz

2. * : T_C= 25°C

12 3

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