MA3U755

更新时间： 2024-11-11 22:14:51

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松下 - PANASONIC		整流二极管
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2页	42K
描述
Silicon epitaxial planar type (cathode common)

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MA3U755 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.58 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	40 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	60 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

MA3U755 数据手册

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA3U755

Silicon epitaxial planar type (cathode common)

Unit : mm

For switching power supply

6.5 0.1

5.3 0.1

4.35 0.1

2.3 0.1

0.5 0.1

I Features

•

Small U-type package and allowing surface mounting

Low forward rise voltage V_F

Cathode common dual type

1.0 0.1

0.1 0.05

0.93 0.1

0.5 0.1

0.75 0.1

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

2.3 0.1

4.6 0.1

Parameter

Symbol

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

Rating

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Average forward current

1 : Anode

2 : Cathode

(Common)

3 : Anode

Non-repetitive peak forward

surge current^*

U-Type Package

Junction temperature

Storage temperature

T_j

−40 to +125

°C

T_stg

Note)

* : Half sine-wave: 10 ms/cycle

I Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Thermal resistance^*

Symbol

I_R

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_R= 60 V, T_C= 25°C

I_F= 2.5 A, T_C= 25°C

Between junction and case

1.0

V_F

0.58

12.5

R_th(j-c)

°C/W

Note) Rated input/output frequency: 1 000 MHz

: T_C= 25°C

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