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MA3SE020G

更新时间： 2024-09-23 14:53:03

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	221K
描述
Mixer Diode, High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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MA3SE020G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.84	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：	1.2 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	频带：	HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

MA3SE020G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA3SE02

Silicon epitaxial planar type

Unit: mm

0.28 0.05

For cellular phone

+0.05

0.12

–0.02

■ Features

•

High-frequency wave detection is possible

Low forward voltage V_F

Small terminal capacitance C_t

0.28 0.05

(0.51)

(0.80) (0.80)

+0.05

0.60

–0.03

1.60

–0.03

3˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Reverse voltage

Maximum peak reverse voltage

Symbol

V_R

Rating

Unit

1: Anode 1

2: Cathode 2

3: Cathode 1

Anode 2

V_RM

I_F

Forward current

Single

Seriesꢀ

Single

EIAJ: SC-81

SSMini3-F2 Package

Peak forward

I_FM

100

Marking Symbol: M6B

current

Seriesꢀ

Junction temperature

Storage temperature

T_j

125

°C

Internal Connection

T_stg

−55 to +125

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Forward voltage

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

0.40

1.0

Unit

V_F1

V_F2

I_R

I_F= 1 mA

I_F= 35 mA

V_R= 15 V

Reverse current

200

1.2

Ω

Terminal capacitance

Forward dynamic resistance

C_t

V_R= 0 V, f = 1 MHz

I_F= 5 mA

r_f

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.

2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body

and the leakage of current from the operating equipment.

ꢀ

3. Absolute frequency of input and output is 2 GHz

Publication date: February 2005

SKH00067CED

12 3

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与MA3SE020G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MA3TNE1700-S3	AMPHENOL	获取价格	CONN RCPT HSNG F/M 17POS PNL MNT
MA3U649	PANASONIC	获取价格	Silicon planar type (cathode common)
MA3U650	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon,
MA3U653	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 300V V(RRM), Silicon,
MA3U654	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 300V V(RRM), Silicon,
MA3U689	PANASONIC	获取价格	Silicon planar type
MA3U690	PANASONIC	获取价格	Silicon planar type
MA3U749	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type (cathode common)
MA3U755	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type (cathode common)
MA3U760	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type (cathode common)

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