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MA3U690

更新时间： 2024-09-22 22:14:51

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Silicon planar type

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MA3U690 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.98 V	频带：	VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	40 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE

MA3U690 数据手册

Fast Recovery Diodes (FRD)

MA3U690

Silicon planar type

Unit : mm

For high-frequency rectification

6.5 0.1

5.3 0.1

4.35 0.1

2.3 0.1

0.5 0.1

I Features

•

Small U-type package for surface mounting

Low-loss type with fast reverse recovery time t_rr

Single type

1.0 0.1

0.1 0.05

0.93 0.1

0.5 0.1

0.75 0.1

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

2.3 0.1

4.6 0.1

Parameter

Symbol

V_RRM

Rating

200

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Non-repetitive peak reverse

surge voltage

V_RSM

200

1 : N.C.

2 : Cathode

3 : Anode

U-Type Package

Average forward current^*

I_F(AV)

I_FSM

Non-repetitive peak forward

surge current^*

Junction temperature

Storage temperature

T_j

−40 to +150

°C

T_stg

Note)

: T_C= 25°C

: Half sine-wave; 10 ms/cycle

I Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Symbol

I_RRM1

I_RRM2

V_F

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA

Repetitive peak reverse current

V_RRM= 200 V, T_C= 25°C

V_RRM= 200 V, T_j= 150°C

I_F= 5 A, T_C= 25°C

Forward voltage (DC)

0.98

Reverse recovery time^*

t_rr

I_F= 1 A, I_R= 1 A

Thermal resistance^*

R_th(j-c)

Direct current (between junction and case)

12.5

°C/W

Note) 1. Rated input/output frequency: 200 MHz

2. * : T_C= 25°C

: t_rrmeasuring circuit

50 Ω

t_rr

I_F

D.U.T

0.1 × I_R

I_R

5.5 Ω

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