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MA3S795E

更新时间： 2024-09-22 22:46:31
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
Silicon epitaxial planar type

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MA3S795E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-81包装说明：R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.82配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.3 VJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.03 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.001 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MA3S795E 数据手册

 浏览型号MA3S795E的Datasheet PDF文件第2页 
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA3S795E  
Silicon epitaxial planar type  
Unit : mm  
1.60 0.1  
0.80 0.05  
0.80  
For switching circuits  
1
2
I Features  
•
•
•
Extra-small (SS-mini type) package, allowing high-density mount-  
ing  
Optimum for low voltage rectification because of its low VF (VF =  
0.3 V or less at IF = 1 mA)  
Optimum for high-frequency rectification because of its short  
reverse recovery time (trr)  
3
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
0.44  
0.44  
Parameter  
Reverse voltage (DC)  
For switching circuits  
Symbol  
VR  
Rating  
Unit  
V
0.88 −+ 00..0035  
1 : Anode 1  
2 : Anode 2  
3 : Carhode 1  
Cathode 2  
30  
VRM  
IFM  
30  
150  
V
SS-Mini Type Package (3-pin)  
Single  
mA  
Peak forward  
current  
Double*ꢀ  
Single  
110  
Marking Symbol: M3D  
Internal Connection  
IF  
30  
mA  
Forward current  
(DC)  
Double*ꢀ  
20  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
125  
°C  
°C  
1
2
Tstg  
−55 to +125  
3
Note)  
* : Value per chip  
I Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse current (DC)  
Forward voltage (DC)  
Symbol  
IR  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
30  
Unit  
µA  
V
VR = 30 V  
IF = 1 mA  
VF1  
VF2  
Ct  
0.3  
1
IF = 30 mA  
V
Terminal capacitance  
Reverse recovery time*  
VR = 1 V, f = 1 MHz  
1.5  
1
pF  
ns  
trr  
IF = IR = 10 mA  
Irr = 1 mA, RL = 100 Ω  
Detection efficiency  
η
Vin = 3 V(peak), f = 30 MHz  
65  
%
RL = 3.9 kΩ, CL = 10 pF  
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a  
human body and the leakage of current from the operating equipment.  
ꢀ
2. Rated input/output frequency: 2 000 MHz  
3. * : trr measuring circuit  
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 1 mA  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
IR = 10 mA  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Rs = 50 Ω  
W.F.Analyzer  
(SAS-8130)  
Ri = 50 Ω  
1
12

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MA3S795E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MA795 PANASONIC

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 Silicon epitaxial planar type
MA795WK PANASONIC

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 Schottky Barrier Diodes (SBD)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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