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MA795WK

更新时间： 2024-11-11 22:25:31
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松下 - PANASONIC 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 72K
描述
Schottky Barrier Diodes (SBD)

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MA795WK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-81包装说明：R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.81Is Samacsys：N
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.3 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.03 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向恢复时间：0.001 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

MA795WK 数据手册

 浏览型号MA795WK的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MA795WK的Datasheet PDF文件第3页 
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA3S795D, MA3S795E (MA795WA, MA795WK)  
Silicon epitaxial planar type  
Unit: mm  
0.28 0.05  
For switching  
+0.05  
0.12  
–0.02  
3
ꢀ Features  
•
•
High-density mounting is possible  
Low forward voltage VF , optimum for low voltage rectification:  
VF < 0.3 V (at IF = 1 mA)  
Optimum for high frequency rectification because of its short  
reverse recovery time (trr)  
1
2
0.28 0.05  
(0.51)  
(0.51)  
(0.80) (0.80)  
+0.05  
+0.05  
–0.03  
•
•
0.60  
1.60  
–0.03  
3°  
SS-Mini type 3-pin package  
ꢀ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse voltage (DC)  
Peak reverse voltage  
Peak forward current Series  
Symbol  
VR  
Rating  
Unit  
V
MA3S795D MA3S795E  
Cathode 1 Anode 1  
Cathode 2 Anode 2  
Anode1, 2 Cathode 1, 2  
30  
1
2
3
EIAJ : SC-89  
SSMini3-F2 Package  
VRM  
IFM  
30  
150  
V
mA  
Marking Symbol  
• MA3S795D: M3D • MA3S795E: M3D  
Double *ꢀ  
Forward current (DC) Series  
Double *ꢀ  
110  
IF  
30  
mA  
Internal Connection  
20  
3
3
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
125  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +125  
Note) : Value per chip  
*
1
2
1
2
D
E
ꢀ Electrical Characteristics Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse current (DC)  
Forward voltage (DC)  
Symbol  
IR  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
30  
Unit  
µA  
V
VR = 30 V  
IF = 1 mA  
VF1  
VF2  
Ct  
0.3  
1
IF = 30 mA  
Terminal capacitance  
Reverse recovery time *  
VR = 1 V, f = 1 MHz  
1.5  
1
pF  
ns  
trr  
IF = IR = 10 mA  
Irr = 1 mA, RL = 100 Ω  
Detection efficiency  
η
Vin = 3 V(peak) , f = 30 MHz  
RL = 3.9 kΩ, CL = 10 pF  
65  
%
Note) 1. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body  
and the leakage of current from the operating equipment.  
ꢀ
2. Rated input/output frequency: 2 GHz  
3. : trr measuring instrument  
*
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
tr  
t
10%  
trr  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 1 mA  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
IR = 10 mA  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Wave Form Analyzer  
(SAS-8130)  
Rs = 50 Ω  
Ri = 50 Ω  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: August 2001  
SKH00063AED  
1
123

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MA795WK 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MA3S795E PANASONIC

功能相似

 Silicon epitaxial planar type
MA795WA PANASONIC

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