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MA3SE010G PDF预览

MA3SE010G

更新时间： 2024-11-12 19:53:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 223K
描述
Mixer Diode, High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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MA3SE010G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
风险等级：5.84配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：1.2 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：MIXER DIODE频带：HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

MA3SE010G 数据手册

 浏览型号MA3SE010G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MA3SE010G的Datasheet PDF文件第3页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA3SE01  
Silicon epitaxial planar type  
Unit: mm  
0.28 0.05  
For cellular phone  
+0.05  
0.12  
–0.02  
3
■ Features  
•
•
High-frequency wave detection is possible  
Low forward voltage VF  
1
2
0.28 0.05  
(0.51)  
• Small junction-capacitance  
(0.51)  
+0.05  
0.60  
–0.03  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse voltage  
Maximum peak reverse voltage  
Symbol  
VR  
Rati
Unit  
V
1 : Anode 1  
2 : Cathode 2  
3 : Cathode 1  
Anode 2  
VR
20  
Forward current  
Single  
Sees  
35  
25  
mA  
EIAJ : SC-81  
SSMini3-F2 Package  
Peak forward current Single  
Seri
I
100  
A  
Marking Symbol: M6A  
70  
Junction temperatu
Storage temperatre  
Tj  
125  
°C  
°C  
Internal Connection  
Tst
5 to 125  
3
1
2
■ Electricharacteristics Ta = 25°C 3°C  
Forward vo
Symbol  
VF1  
VF2  
IR  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
0.41  
1.0  
Unit  
V
IF = 1 mA  
IF = 35 m
VR = 15 V  
V
Reverse current  
200  
1.2  
nA  
pF  
Ω
Terminal capacitance  
Dynamic resistance  
Ct  
VR = 0 V, f = 1 MH
IF = 5 mA  
Rd  
40  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.  
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body  
and the leakage of current from the operating equipment.  
3. Absolute frequency of input and output is 2 GHz  
Publication date: February 2005  
SKH00066CED  
1
123

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与MA3SE010G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MA3SE02 PANASONIC

获取价格

 		Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3SE020G PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3TNE1700-S3 AMPHENOL

获取价格

 		CONN RCPT HSNG F/M 17POS PNL MNT
MA3U649 PANASONIC

获取价格

 		Silicon planar type (cathode common)
MA3U650 PANASONIC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon,
MA3U653 PANASONIC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 300V V(RRM), Silicon,
MA3U654 PANASONIC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 300V V(RRM), Silicon,
MA3U689 PANASONIC

获取价格

 		Silicon planar type
MA3U690 PANASONIC

获取价格

 		Silicon planar type
MA3U749 PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type (cathode common)

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