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MA3SD05F

更新时间： 2024-11-12 21:08:19
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 74K
描述
Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, SC-81, 3 PIN

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MA3SD05F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-81包装说明：R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
风险等级：5.79配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：18 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：MIXER DIODE频带：VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MA3SD05F 数据手册

 浏览型号MA3SD05F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MA3SD05F的Datasheet PDF文件第3页 
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA3SD05F  
Silicon epitaxial planar type  
Unit: mm  
0.28 0.05  
For high frequency rectification  
+0.05  
0.12  
–0.02  
3
■ Features  
•
•
Series connection  
High-density mounting is possible  
1
2
0.28 0.05  
(0.51)  
(0.51)  
(0.80) (0.80)  
+0.05  
+0.05  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
0.60  
–0.03  
1.60  
–0.03  
Parameter  
Reverse voltage  
Maximum peak reverse voltage  
Symbol  
VR  
Rating  
Unit  
V
3˚  
45  
VRM  
IF  
45  
100  
V
Forward current  
Single  
Double  
Single  
Double  
mA  
1: Anode 1  
2 : Cathode 2  
3 : Cathode 1  
Anode 2  
75  
Peak forward  
current  
IFM  
300  
mA  
A
EIAJ : SC-81  
SSMini3-F2 Package  
225  
Non-repetitive peak Single  
forward surge current * Double  
Junction temperature  
IFSM  
1
Marking Symbol: M5C  
0.75  
125  
Internal Connection  
Tj  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +125  
3
Note) : The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)  
*
1
2
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Forward voltage  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
0.60  
5
Unit  
V
VF  
IR  
IF = 100 mA  
VR = 40 V  
0.54  
Reverse current  
µA  
pF  
ns  
Terminal capacitance  
Reverse recovery time *  
Ct  
trr  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
12  
18  
IF = IR = 100 mA  
2.0  
Irr = 10 mA, RL = 100 Ω  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.  
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body  
and the leakage of current from the operating equipment.  
3. Absolute frequency of input and output is 250 MHz  
4. : trr measurement circuit  
*
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 10 mA  
IF = 100 mA  
IR = 100 mA  
RL = 100 Ω  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Rs = 50 Ω  
Wave Form Analyzer  
(SAS-8130)  
Ri = 50 Ω  
Publication date: February 2004  
SKH00137AED  
1
123

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与MA3SD05F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MA3SD05FG PANASONIC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3SD22F PANASONIC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, 30V V(RRM), Silicon, SC-81, 3 PIN
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MA3SE010G PANASONIC

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 		Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3SE020G PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3TNE1700-S3 AMPHENOL

获取价格

 		CONN RCPT HSNG F/M 17POS PNL MNT
MA3U649 PANASONIC

获取价格

 		Silicon planar type (cathode common)

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