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MA3SD29F PDF预览

MA3SD29F

更新时间： 2024-09-23 21:10:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 264K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, SC-81, 3 PIN

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MA3SD29F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-81包装说明：R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.84配置：SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：3最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.001 µs表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MA3SD29F 数据手册

 浏览型号MA3SD29F的Datasheet PDF文件第2页 
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA3SD29F  
Silicon epitaxial planar type  
For super high speed switching circuits  
Unit: mm  
0.28±0.05  
Features  
+0.05  
0.12  
–0.02  
Low forward voltage VF : < 0.42 V (at IF = 100 mA)  
Optimum for high-frequency rectification  
Short reverse recovery time trr  
3
1
2
0.28±0.05  
(0.51)  
Absolute Maximum Ratings T
a
= 25
°
C  
(0.51)  
(0.80) (0.80)  
+0.05  
–0.03  
Parameter  
Reverse voltage  
Repetitive peak reverse voltage  
Single  
Symbol  
VR  
Rating  
Unit  
V
0.60  
+0.05  
1.60  
–0.03  
30  
3°  
VRRM  
30  
V
100  
Forward current (Average)  
IF(AV)  
mA  
mA  
1: Anode 1  
2: Cathode 2  
3: Cathode 1  
Anode 2  
Series  
Single  
Series  
75  
200  
Peak forward current  
IFM  
150  
EIAJ : SC-81  
SSMini3-F2 Package  
Non-repetitive peak forward surge current
*  
Junction temperature  
IFSM  
Tj  
1
A
°
C  
°
C  
Marking Symbol: M5R  
125  
Internal Connection  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +125  
Note) : 50 Hz sine wave 1 cycle (Non-repetitive peak current)  
*
3
1
2
Electrical Characteristics 
T
a
= 25
°
C
±
3
°
C  
Parameter  
Symbol  
VF1  
VF2  
IR1  
Conditions  
Min  
Typ  
0.25  
0.39  
Max  
0.29  
0.42  
25  
Unit  
IF = 10 mA  
IF = 100 mA  
V
R
= 10 V  
V
R
= 30 V  
Forward voltage  
V
Reverse current  
µA  
pF  
ns  
IR2  
120  
Terminal capacitance  
Ct  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
11  
1
IF = IR = 100 mA, Irr = 10 mA,  
R
L
= 100 Ω  
Reverse recovery time
*  
trr  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.  
2. Absolute frequency of input and output is 250 MHz  
3. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body and the leakage  
of current from the operating equipment.  
4. : t
rr
measurement circuit  
*
Publication date: May 2005  
SKH00147AED  
1
12

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与MA3SD29F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MA3SD29FG PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3SE01 PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, L Band, Silicon, SC-81, 3 PIN
MA3SE010G PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3SE02 PANASONIC

获取价格

 		Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3SE020G PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3TNE1700-S3 AMPHENOL

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 		CONN RCPT HSNG F/M 17POS PNL MNT
MA3U649 PANASONIC

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 		Silicon planar type (cathode common)
MA3U650 PANASONIC

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon,
MA3U653 PANASONIC

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 300V V(RRM), Silicon,
MA3U654 PANASONIC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 300V V(RRM), Silicon,

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