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MA3S781FG

更新时间： 2024-11-12 20:55:19
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 382K
描述
Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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MA3S781FG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
风险等级：5.81配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：MIXER DIODE
频带：L BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MA3S781FG 数据手册

 浏览型号MA3S781FG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MA3S781FG的Datasheet PDF文件第3页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA3S781F  
Silicon epitaxial planar type  
For high speed switching circuits  
Unit: mm  
0.28±0.05  
Features  
+0.05  
0.12  
–0.02  
Optimum for high-density mounting  
3
Short reverse recovery time trr , optimum for high-frequency rectification  
1
2
Absolute Maximum Ratings T
a
= 25
°
C  
0.28±0.05  
(0.51)  
(0.51
Parameter  
Reverse voltage  
Maximum peak reverse voltage  
Symbol  
VR  
Rating  
Unit  
V
) (0.80)  
+0.05  
–0.03  
0.60  
30  
30  
.05  
3  
VRM  
V
Single  
3
Forward current  
IF  
mA  
mA  
Series  
Single  
Series  
1: Anode 1  
2: Cathode 2  
3: Cathode 1  
Anode 2  
150  
Peak forward current  
IFM  
Tj  
110  
Junction temperature  
Storage temperature  
15  
°
C  
°
C  
EIAJ : SC-81  
SSMini3-F2 Package  
T
stg  
–55 to +12
Marking Symbol: M1U  
Internal Connection  
3
1
2
Electrical Characteristics 
T
a
= 25
°
C
±
3
°
C  
P
Symbol  
VF1  
VF2  
IR  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
0.4  
Unit  
IF = 1 mA  
IF = 30 mA  
V
R
= 30 V  
Forward voltage  
V
1.0  
Reverse current  
300  
nA  
pF  
Terminal capacitance  
Ct  
VR = 1 V, f = 1 MHz  
1.5  
1.0  
IF = IR = 10 mA, I
rr
= 1 mA  
R
L
= 100 Ω  
Reverse recovery time
*  
Detection efficiency  
trr  
ns  
%
V
IN
= 3 V(peak) , f = 30 MHz  
R
L
= 3.9 kΩ, CL = 10 pF  
65  
η
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.  
2. Absolute frequency of input and output is 2000 MHz  
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body and the leakage  
of current from the operating equipment.  
3. : t
rr
measurement circuit  
*
Bias Application Unit (N-50BU)  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
t
t
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
I
1 mA  
tp 2 µ  
IF IR 10 mA  
t
0.35 ns  
RL 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
50 Ω  
Wave Form Analyzer  
δ = 0.05  
(SAS-8130)  
R
Ri 50 Ω  
Publication date: January 2005  
SKH00143AED  
1
123

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与MA3S781FG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MA3S795 PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA3S7950G PANASONIC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3S795D PANASONIC

获取价格

 		Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA3S795DG PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3S795E PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA3S795E0L PANASONIC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-
MA3SD05 PANASONIC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon, SSMINI3-F2, SC-89, 3 PIN
MA3SD05F PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, SC-81, 3 PIN
MA3SD05FG PANASONIC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3SD22F PANASONIC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, 30V V(RRM), Silicon, SC-81, 3 PIN

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