MA3S795DG

更新时间： 2024-11-12 13:10:19

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松下 - PANASONIC		/
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2页	49K
描述
Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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MA3S795DG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.82	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

MA3S795DG 数据手册

Schottky Barrier Diodes (SBD)

MA3S795

Silicon epitaxial planar type

Unit : mm

1.60 0.1

0.80 0.05

0.80

For switching circuits

I Features

•

Extra-small SS-mini type 3-pin package, allowing high-density

mounting

Optimum for low-voltage rectification because of its low forward

rise voltage (V_F) (Low V_Ftype of MA3X704A)

Optimum for high-frequency rectification because of its short

reverse recovery time (t_rr)

0.44

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

0.88 −⁺0⁰.^.003⁵

Parameter

Reverse voltage (DC)

For switching circuits

Forward current (DC)

Peak forward current

Junction temperature

Storage temperature

Symbol

V_R

Rating

Unit

1 : Anode

2 : NC

3 : Cathode

V_RM

I_F

SS-Mini Type Package(3-pin)

°C

Marking Symbol: M2M

Internal Connection

I_FM

150

T_j

125

T_stg

−55 to +125

°C

I Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Symbol

I_R

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA

V_R= 30 V

I_F= 1 mA

V_F1

V_F2

C_t

0.3

I_F= 30 mA

Terminal capacitance

Reverse recovery time^*

V_R= 1 V, f = 1 MHz

1.5

t_rr

I_F= I_R= 10 mA

I_rr= 1 mA, R_L= 100 Ω

Detection efficiency

V_in= 3 V_(peak), f = 30 MHz

R_L= 3.9 kΩ, C_L= 10 pF

Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a

human body and the leakage of current from the operating equipment.

ꢀ

2. Rated input/output frequency: 2 000 MHz

3. * : t_rrmeasuring circuit

Bias Application Unit N-50BU

Input Pulse

t_p

Output Pulse

t_rr

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 1 mA

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 10 mA

I_R= 10 mA

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

(PG-10N)

R_s= 50 Ω

W.F.Analyzer

(SAS-8130)

R_i= 50 Ω

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MA3S795E	PANASONIC	获取价格	Silicon epitaxial planar type
MA3S795E0L	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-
MA3SD05	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon, SSMINI3-F2, SC-89, 3 PIN
MA3SD05F	PANASONIC	获取价格	Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, SC-81, 3 PIN
MA3SD05FG	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3SD22F	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.03A, 30V V(RRM), Silicon, SC-81, 3 PIN
MA3SD29F	PANASONIC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, SC-81, 3 PIN
MA3SD29FG	PANASONIC	获取价格	Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3SE01	PANASONIC	获取价格	Mixer Diode, L Band, Silicon, SC-81, 3 PIN
MA3SE010G	PANASONIC	获取价格	Mixer Diode, High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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