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MA3S132DG

更新时间： 2024-11-12 21:15:27

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	228K
描述
Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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MA3S132DG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.81
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	最大二极管电容：	15 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	VERY HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MA3S132DG 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Switching Diodes

MA3S132DG, MA3S132EG

Silicon epitaxial planar type

For switching circuits

■ Package

■ Features

•

Code

SSMini3-F3

Pin Name

MA3S132DG

• Short reverse recovery time t_rr

• Small terminal capacitance C_t

• Two isolated elements contained in one package, allowing high-

density mounting

•

MA3S132EG

1: Cathode 1

2: Cathode 2

3: Anode

1: Anode 1

2: Anode 2

3: Cathode

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Reverse voltage

Maximum peak reverse voltage

Symbol

V_R

Rating

Unit

■ Marking Symbol

V_RM

I_F

MA3S132DG: MO

MA3S132EG: MU

Single

Double

Single

Double

Single

Double

100

Forward current

150

I_FM

225

Peak forward

current

■ Internal Connection

340

I_FSM

500

Non-repetitive peak

forward surge current

750

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

Note) : t = 1 s

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Forward voltage

Symbol

Conditions

I_F= 100 mA

Min

Typ

Max

Unit

V_F

V_R

I_R

1.2

Reverse voltage

I_R= 100 µA

V_R= 75 V

Reverse current

100

Terminal capacitance

MA3S132DG

MA3S132EG

C_t

V_R= 0 V, f = 1 MHz

Reverse recovery time ^*MA3S132DG

MA3S132EG

t_rr

I_F= 10 mA, V_R= 6 V

I_rr= 0.1 I_R, R_L= 100 Ω

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.

2. Absolute frequency of input and output is 100 MHz.

3. : t_rrmeasurement circuit

Bias Application Unit (N-50BU)

Input Pulse

t_p

Output Pulse

t_rr

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 0.1 I_R

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 10 mA

V_R= 6 V

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

(PG-10N)

Wave Form Analyzer

(SAS-8130)

R_s= 50 Ω

R_i= 50 Ω

Publication date: October 2007

SKF00083AED

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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