5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MA3S132EGL
MA3S132EGL PDF预览

MA3S132EGL

更新时间： 2024-11-12 19:58:35
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 230K
描述
Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

MA3S132EGL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-F3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
风险等级：5.81配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：2 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：MIXER DIODE频带：VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MA3S132EGL 数据手册

 浏览型号MA3S132EGL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MA3S132EGL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MA3S132EGL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MA3S132EGL的Datasheet PDF文件第5页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Switching Diodes  
MA3S132DG, MA3S132EG  
Silicon epitaxial planar type  
For switching circuits  
■ Package  
■ Features  
•
Code  
SSMini3-F3  
Pin Name  
MA3DG  
• Short reverse recovery time trr  
• Small terminal capacitance Ct  
• Two isolated elements contained in one package, allowing high-  
density mounting  
•
MA3S132EG  
1: C
athode 2  
: Ande  
1: Anode 1  
2: Anode 2  
3: Cathode  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse voltage  
Maximum peak reverse voltage  
Symbol  
VR  
Rati
Unit  
V
■ Marking Symbol  
VR
I
80  
V
MA3S132DG: MO  
MA3S132EG: MU  
Single  
Double  
Sie  
Double  
Singl
Double  
100  
mA  
Forward current  
150  
IFM  
225  
mA  
mA  
Peak forward  
current  
■ Internal Connection  
34
3
3
IFSM  
500  
Non-repetitive peak  
forward surge curnt  
*
750  
Junction temeratue  
torage tempre  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
to +150  
1
2
1
2
E
D
Noe) : t =
■ Elctrical CharacteristicTa = 25°C 3°C  
eter  
Forwar
Symbol  
Conditions  
IF = 100 mA  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
VF  
VR  
IR  
1.2  
Reverse vo
IR = 100 µA  
VR = 75 V  
80  
V
Reverse current  
100  
15  
2
nA  
pF  
Terminal capacitance  
MA3S132DG  
MA3S132EG  
Ct  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
Reverse recovery time * MA3S132DG  
MA3S132EG  
trr  
IF = 10 mA, VR = 6 V  
Irr = 0.1 I, RL = 100 Ω  
10  
3
ns  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.  
2. Absolute frequency of input and output is 100 MHz.  
3. : trr measurement circuit  
*
Bias Application Unit (N-50BU)  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 0.1 IR  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
VR = 6 V  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Wave Form Analyzer  
(SAS-8130)  
Rs = 50 Ω  
Ri = 50 Ω  
Publication date: October 2007  
SKF00083AED  
1
12345

中文翻译

下载PDF

与MA3S132EGL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MA3S132K PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA3S132KG PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI2-F4, 2 PIN
MA3S133 PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA3S1330G PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI2-F3, 3 PIN
MA3S137 PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA3S781 PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA3S781D PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA3S781DG PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3S781E PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type (cathode common)
MA3S781EG PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

与MA3S132EGL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证