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MA3S1330G PDF预览

MA3S1330G

更新时间： 2024-11-12 21:10:27
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 211K
描述
Mixer Diode, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI2-F3, 3 PIN

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MA3S1330G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
风险等级：5.81外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS最大二极管电容：3 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：MIXER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MA3S1330G 数据手册

 浏览型号MA3S1330G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MA3S1330G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MA3S1330G的Datasheet PDF文件第4页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Switching Diodes  
MA3S1330G  
Silicon epitaxial planar type  
For switching circuits  
■ Features  
■ Package  
•
• Two isolated elements contained in one package, allowing high
density mounting  
Code  
SSMini3-F3  
•
• Two diodes are connected in series in the package  
Pin Name  
1: A
2: Ca
athode 1  
Ande 2  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse voltage  
Maximum peak reverse voltage  
Symbol  
VR  
Rating  
Unit  
V
8
Marking Symbol: MP  
VRM  
IF  
V
Forward current  
Single  
Series  
Sinle  
Series  
00  
mA  
65  
■ Internal Connection  
IFM  
200  
mA  
3
Peak forward  
current  
130  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 o +150  
1
2
■ Electrical CharacteristicTa = 25°C 3°C  
r  
Forward
Symbol  
VF  
Conditions  
IF = 100 mA  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
1.2  
Reverse volta
VR  
IR = 100 µA  
VR = 75 V  
80  
V
Reverse current  
IR  
100  
5.5  
3.0  
150  
9
nA  
pF  
1
2
*
Terminal capacitance  
Ct  
Ct  
trr  
trr  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
*
3
1
2
Reverse recovery time *  
IF = 10 mA, VR = 6 V  
Irr = 0.1 IR , RL = 100 Ω  
ns  
*
*
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.  
2. Absolute frequency of input and output is 100 MHz.  
3. 1: Between pins 2 and 3  
Bias Application Unit (N-50BU)  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
*
*
*
tr  
2: Between pins 1 and 3  
3: trr measurement circuit  
t
10%  
trr  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 0.1 IR  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
VR = 6 V  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Wave Form Analyzer  
(SAS-8130)  
Rs = 50 Ω  
Ri = 50 Ω  
Publication date: October 2007  
SKF00086AED  
1
1234

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与MA3S1330G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MA3S137 PANASONIC

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 		Silicon epitaxial planar type
MA3S781 PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA3S781D PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA3S781DG PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3S781E PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type (cathode common)
MA3S781EG PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3S781F PANASONIC

获取价格

 		暂无描述
MA3S781FG PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3S795 PANASONIC

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 		Silicon epitaxial planar type
MA3S7950G PANASONIC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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