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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MA3S781D
MA3S781D PDF预览

MA3S781D

更新时间： 2024-09-22 22:46:31
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 48K
描述
Silicon epitaxial planar type

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MA3S781D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-81包装说明：R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：HIGH SPEED SWITCH配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.4 VJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.03 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.001 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MA3S781D 数据手册

 浏览型号MA3S781D的Datasheet PDF文件第2页 
Schottky Barrier Diodes (SBD)  
MA3S781D  
Silicon epitaxial planar type  
Unit : mm  
1.60 0.1  
0.80 0.05  
For high-speed switching circuits  
0.80  
I Features  
1
2
•
•
•
SS-mini type 3-pin package  
Allowing high-density mounting  
Anode common type  
3
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse voltage (DC)  
Peak reverse voltage  
Symbol  
VR  
Rating  
Unit  
V
30  
0.44  
0.44  
VRM  
IF  
30  
30  
V
0.88 −+ 00..0035  
Single  
mA  
Forward current  
(DC)  
1 : Cathode 1  
2 : Cathode 2  
SS-Mini Type Package (3-pin)  
3 : Anode 1  
Anode 2  
Double  
Single  
20  
IFM  
150  
mA  
Peak forward  
current  
Double  
110  
Marking Symbol: M2P  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
125  
°C  
°C  
Internal Connection  
Tstg  
−55 to +125  
1
3
2
I Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Reverse current (DC)  
Forward voltage (DC)  
Symbol  
IR  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
1.0  
Unit  
µA  
V
VR = 30 V  
IF = 1 mA  
VF1  
0.4  
VF2  
Ct  
IF = 30 mA  
1.0  
V
pF  
ns  
Terminal capacitance  
Reverse recovery time*  
VR = 1 V, f = 1 MHz  
IF = IR = 10 mA  
1.5  
1.0  
trr  
Irr = 1 mA, RL = 100 Ω  
Vin = 3 V(peak), f = 30 MHz  
RL = 3.9 kΩ, CL = 10 pF  
Detection efficiency  
η
65  
%
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a  
human body and the leakage of current from the operating equipment.  
2. Rated input/output frequency: 2 000 MHz  
3. * : trr measuring circuit  
Bias Application Unit N-50BU  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 1 mA  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
IR = 10 mA  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Rs = 50 Ω  
W.F.Analyzer  
(SAS-8130)  
Ri = 50 Ω  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MA3S781DG PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3S781E PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type (cathode common)
MA3S781EG PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3S781F PANASONIC

获取价格

 		暂无描述
MA3S781FG PANASONIC

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 		Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3S795 PANASONIC

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 		Silicon epitaxial planar type
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.03A, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
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 		Schottky Barrier Diodes (SBD)
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