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MA3S132EG PDF预览

MA3S132EG

更新时间： 2024-09-23 21:15:27
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 228K
描述
Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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MA3S132EG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.60风险等级：5.81
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS最大二极管电容：2 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：MIXER DIODE
频带：VERY HIGH FREQUENCYJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MA3S132EG 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Switching Diodes  
MA3S132DG, MA3S132EG  
Silicon epitaxial planar type  
For switching circuits  
Package  
■ Features  
•
Cde  
SSMini3-F
Pin Na
MA3S1
• Short reverse recovery time trr  
• Small terminal capacitance Ct  
• Two isolated elements contained in one package, allowing gh-  
density mounting  
•
MA3S132EG  
ode 1  
atho2  
3: Anode  
1: Anode 1  
2: Anode 2  
3: Cathode  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Reverse voltage  
Maximum peak reverse voltage  
Symbol  
VR  
Rati
8
Unit  
V
■ Marking Symbol  
VR
I
0  
V
MA3S132DG: MO  
MA3S132EG: MU  
Single  
Double  
Sle  
Doubl
Sigle  
Doubl
100  
A  
Forward current  
15
IFM  
225  
A  
mA  
Peak forward  
current  
■ Internal Connection  
34
3
3
IFSM  
500  
Non-repetitive peak  
forward surge curren
*
50  
Junction tempature  
Storae teperatue  
T
150  
°C  
°C  
Tst
to +150  
1
2
1
2
E
D
Note) : t
*
■ Elctrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Paraeter  
Forw
Symbol  
Conditions  
IF = 100 mA  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
VF  
VR  
IR  
1.2  
R
IR = 100 µA  
VR = 75 V  
80  
V
Rever
100  
15  
2
nA  
pF  
Terminal citance  
MA3S132DG  
MA3S132EG  
Ct  
VR = V, f = 1 MHz  
Reverse recovery time * MA3S132DG  
MA3S132EG  
trr  
IF = 10 mA, VR = 6 V  
Irr = 0.1 IR , RL = 100 Ω  
10  
3
ns  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.  
2. Absolute frequency of input and output is 100 MHz.  
3. : trr measurement circuit  
*
Bias Application Unit (N-50BU)  
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
Irr = 0.1 IR  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 10 mA  
VR = 6 V  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Wave Form Analyzer  
(SAS-8130)  
Rs = 50 Ω  
Ri = 50 Ω  
Publication date: October 2007  
SKF00083AED  
1
12345

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与MA3S132EG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MA3S132EGL PANASONIC

获取价格

 		Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3S132K PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type
MA3S132KG PANASONIC

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 		Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI2-F4, 2 PIN
MA3S133 PANASONIC

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MA3S1330G PANASONIC

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 		Mixer Diode, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI2-F3, 3 PIN
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MA3S781 PANASONIC

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 		Silicon epitaxial planar type
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 		Silicon epitaxial planar type
MA3S781DG PANASONIC

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 		Mixer Diode, L Band, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
MA3S781E PANASONIC

获取价格

 		Silicon epitaxial planar type (cathode common)

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