5秒后页面跳转
JANTX2N6766 PDF预览

JANTX2N6766

更新时间: 2024-11-04 12:09:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 1006K
描述
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543

JANTX2N6766 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BFM包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.17
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):30 A
最大漏极电流 (ID):30 A最大漏源导通电阻:0.065 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-204AE
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):150 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/543
子类别:FET General Purpose Powers表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

JANTX2N6766 数据手册

 浏览型号JANTX2N6766的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANTX2N6766的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JANTX2N6766的Datasheet PDF文件第4页浏览型号JANTX2N6766的Datasheet PDF文件第5页浏览型号JANTX2N6766的Datasheet PDF文件第6页浏览型号JANTX2N6766的Datasheet PDF文件第7页 

JANTX2N6766 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF252 IXYS

功能相似

High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series
IRF251 IXYS

功能相似

High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series

与JANTX2N6766相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N6766T1 MICROSEMI

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
JANTX2N6768 INFINEON

获取价格

POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.300ohm, Id=14A)
JANTX2N6770 INFINEON

获取价格

POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500v, Rds(on)=0.40ohm, Id=12A)
JANTX2N6770 MICROSEMI

获取价格

N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543
JANTX2N6770T1 MICROSEMI

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
JANTX2N6782 INFINEON

获取价格

POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=3.5A)
JANTX2N6782PBF INFINEON

获取价格

暂无描述
JANTX2N6782TR MICROSEMI

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
JANTX2N6782U INFINEON

获取价格

HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
JANTX2N6784 INFINEON

获取价格

POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.25A)