5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.17 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.065 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/543 |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF252 | IXYS |
功能相似  |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
|
| IRF251 | IXYS |
功能相似 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N6766T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| JANTX2N6768 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.300ohm, Id=14A) |
|
| JANTX2N6770 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500v, Rds(on)=0.40ohm, Id=12A) |
|
| JANTX2N6770 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 |
|
| JANTX2N6770T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| JANTX2N6782 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=3.5A) |
|
| JANTX2N6782PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| JANTX2N6782TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| JANTX2N6782U | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
|
| JANTX2N6784 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.25A) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
