是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BFM | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.17 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 30 A |
最大漏极电流 (ID): | 30 A | 最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-204AE |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500/543 |
子类别: | FET General Purpose Powers | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF252 | IXYS |
功能相似 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series | |
IRF251 | IXYS |
功能相似 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTX2N6766T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
JANTX2N6768 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.300ohm, Id=14A) | |
JANTX2N6770 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500v, Rds(on)=0.40ohm, Id=12A) | |
JANTX2N6770 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 | |
JANTX2N6770T1 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
JANTX2N6782 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=3.5A) | |
JANTX2N6782PBF | INFINEON |
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暂无描述 | |
JANTX2N6782TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
JANTX2N6782U | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) | |
JANTX2N6784 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.25A) |