生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.07 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (ID): | 30 A | 最大漏源导通电阻: | 0.085 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 500 pF |
JEDEC-95代码: | TO-204AE | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | MILITARY STANDARD (USA) | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 225 ns | 最大开启时间(吨): | 135 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF252 | IXYS |
功能相似 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series | |
IRF251 | IXYS |
功能相似 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTX2N6766T1 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
JANTX2N6768 | INFINEON |
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POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.300ohm, Id=14A) | |
JANTX2N6770 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500v, Rds(on)=0.40ohm, Id=12A) | |
JANTX2N6770 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 | |
JANTX2N6770T1 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
JANTX2N6782 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=3.5A) | |
JANTX2N6782PBF | INFINEON |
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暂无描述 | |
JANTX2N6782TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
JANTX2N6782U | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) | |
JANTX2N6784 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.25A) |