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JANTX2N6770 PDF预览

JANTX2N6770

更新时间： 2024-02-02 14:46:26
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
6页 202K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500v, Rds(on)=0.40ohm, Id=12A)

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JANTX2N6770 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：7.81外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-3JESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON

JANTX2N6770 数据手册

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Index  
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Provisional Data Sheet No. PD-9.330E  
JANTX2N6770  
JANTXV2N6770  
[REF:MIL-PRF-19500/543]  
HEXFET® POWER MOSFET  
[GENERIC:IRF450]  
N-CHANNEL  
500 Volt, 0.40Ω HEXFET  
Product Summary  
Part Number  
JANTX2N6770  
JANTXV2N6770  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transis-  
tors. The efficient geometry achieves very low on-  
state resistance combined with high transconductance.  
500V  
12A  
0.40Ω  
HEXFET transistors also feature all of the well-es-  
tablish advantages of MOSFETs, such as voltage  
control, very fast switching, ease of paralleling and  
electrical parameter temperature stability. They are  
well-suited for applications such as switching power  
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers, and high energy pulse circuits, and virtu-  
ally any application where high reliability is required.  
Features:  
■ Avalanche Energy Rating  
■ Dynamic dv/dt Rating  
■ Simple Drive Requirements  
■ Ease of Paralleling  
■ Hermetically Sealed  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
JANTX2N6770,JANTXV2N6770 Units  
I
D
@ V  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
12  
GS  
C
A
I
@ V  
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
7.75  
48  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single PulseAvalanche Energy ➁  
Avalanche Current➀  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
1.2  
W
W/K ➄  
V
D
C
V
GS  
±20  
8
E
AS  
mJ  
I
12  
A
AR  
E
RepetitiveAvalanche Energy➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
—
mJ  
AR  
dv/dt  
3.5  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
STG  
StorageTemperature Range  
Lead Temperature  
(0.063 in. (1.6mm) from  
300  
case for 10.5 seconds)  
11.5 (typical)  
Weight  
To Order  
 
 
123456

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JANTX2N6770 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6770 INFINEON

功能相似

 500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package - A 2N6770 with Hermetic Packagi
IRF450 INFINEON

功能相似

 TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.400ohm, Id=12A)

与JANTX2N6770相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N6770T1 MICROSEMI

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JANTX2N6782 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=3.5A)
JANTX2N6782PBF INFINEON

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 		暂无描述
JANTX2N6782TR MICROSEMI

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