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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 | 针数： | 18 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.2 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 134 mJ |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.207 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CQCC-N15 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 15 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/557 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N6796E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 |
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| JANTX2N6796U | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
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| JANTX2N6798 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=5.5A) |
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| JANTX2N6798 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 |
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| JANTX2N6798E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 |
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| JANTX2N6798U | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
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| JANTX2N6800 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=3.0A) |
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| JANTX2N6800 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 |
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| JANTX2N6800E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 |
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| JANTX2N6800U | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED |
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