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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> JANTX2N6790
JANTX2N6790 PDF预览

JANTX2N6790

更新时间： 2024-01-11 01:26:57
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 206K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=3.5A)

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JANTX2N6790 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, LCC-18Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
雪崩能效等级（Eas）：0.242 mJ外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A最大漏极电流 (ID)：2.8 A
最大漏源导通电阻：0.85 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CQCC-N15JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：15
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：11 A认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/555子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANTX2N6790 数据手册

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Index  
Next Data Sheet  
Provisional Data Sheet No. PD-9.427B  
JANTX2N6790  
JANTXV2N6790  
[REF:MIL-PRF-19500/555]  
HEXFET® POWER MOSFET  
[GENERIC:IRFF220]  
N-CHANNEL  
200 Volt, 0.80Ω HEXFET  
Product Summary  
Part Number  
JANTX2N6790  
JANTXV2N6790  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transis-  
tors. The efficient geometry achieves very low on-  
state resistance combined with high transconductance.  
3.5A  
200V  
0.80Ω  
HEXFET transistors also feature all of the well-es-  
tablish advantages of MOSFETs, such as voltage  
control, very fast switching, ease of paralleling and  
electrical parameter temperature stability. They are  
well-suited for applications such as switching power  
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers, and high energy pulse circuits, and virtu-  
ally any application where high reliability is required.  
Features:  
■ Avalanche Energy Rating  
■ Dynamic dv/dt Rating  
■ Simple Drive Requirements  
■ Ease of Paralleling  
■ Hermetically Sealed  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
JANTX2N6790, JANTXV2N6790 Units  
I
D
@ V  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
3.5  
GS  
C
A
I
@ V  
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
2.25  
14  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
DM  
@ T = 25°C  
P
20  
W
W/K ➄  
V
D
C
0.16  
V
GS  
dv/dt  
±20  
5.0  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
Lead Temperature  
STG  
oC  
g
(0.063 in. (1.6mm) from  
300  
case for 10.5 seconds)  
0.98 (typical)  
Weight  
To Order  
 
 
123456

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JANTX2N6790 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFF220 INFINEON

完全替代

 200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF220 with Hermetic Packag
2N6790 INFINEON

功能相似

 200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6790 with Hermetic Packagi

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