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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> JANTX2N6790
JANTX2N6790 PDF预览

JANTX2N6790

更新时间： 2024-11-03 22:57:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 206K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=3.5A)

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JANTX2N6790 数据手册

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Index  
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Provisional Data Sheet No. PD-9.427B  
JANTX2N6790  
JANTXV2N6790  
[REF:MIL-PRF-19500/555]  
HEXFET® POWER MOSFET  
[GENERIC:IRFF220]  
N-CHANNEL  
200 Volt, 0.80Ω HEXFET  
Product Summary  
Part Number  
JANTX2N6790  
JANTXV2N6790  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transis-  
tors. The efficient geometry achieves very low on-  
state resistance combined with high transconductance.  
3.5A  
200V  
0.80Ω  
HEXFET transistors also feature all of the well-es-  
tablish advantages of MOSFETs, such as voltage  
control, very fast switching, ease of paralleling and  
electrical parameter temperature stability. They are  
well-suited for applications such as switching power  
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers, and high energy pulse circuits, and virtu-  
ally any application where high reliability is required.  
Features:  
■ Avalanche Energy Rating  
■ Dynamic dv/dt Rating  
■ Simple Drive Requirements  
■ Ease of Paralleling  
■ Hermetically Sealed  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
JANTX2N6790, JANTXV2N6790 Units  
I
D
@ V  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
3.5  
GS  
C
A
I
@ V  
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
2.25  
14  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
DM  
@ T = 25°C  
P
20  
W
W/K ➄  
V
D
C
0.16  
V
GS  
dv/dt  
±20  
5.0  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
Lead Temperature  
STG  
oC  
g
(0.063 in. (1.6mm) from  
300  
case for 10.5 seconds)  
0.98 (typical)  
Weight  
To Order  
 
 
123456

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JANTX2N6790 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFF220 INFINEON

完全替代

 200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF220 with Hermetic Packag
2N6790 INFINEON

功能相似

 200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6790 with Hermetic Packagi

与JANTX2N6790相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N6790U ETC

获取价格

 		200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package
JANTX2N6792 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=2.0A)
JANTX2N6792 RENESAS

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 		2A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
JANTX2N6792U ETC

获取价格

 		400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package
JANTX2N6794 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=1.5A)
JANTX2N6794U INFINEON

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JANTX2N6796 MICROSEMI

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JANTX2N6796 INFINEON

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JANTX2N6796E3 MICROSEMI

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 		N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
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 		REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)

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