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JANTX2N6792U

更新时间： 2024-02-26 22:54:39

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其他 - ETC		晶体晶体管开关脉冲
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描述
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package

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JANTX2N6792U 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	针数：	18
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	0.185 mJ
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (ID)：	1.8 A
最大漏源导通电阻：	2.07 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CQCC-N15	元件数量：	1
端子数量：	15	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	7.2 A	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/555	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTX2N6792U 数据手册

PD - 93985

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED

HEXFET TRANSISTORS

IRFE320

JANTX2N6792U

SURFACE MOUNT (LCC-18)

JANTXV2N6792U

[REF:MIL-PRF-19500/555]

400V, N-CHANNEL

Product Summary

Part Number

BVDSS

RDS(on)

IRFE320

400V

1.8Ω

1.8A

The leadless chip carrier (LCC) package represents the

logical next step in the continual evolution of surface

mount technology. Desinged to be a close replacement

for the TO-39 package, the LCC will give designers the

extra flexibility they need to increase circuit board den-

sity. International Rectifier has engineered the LCC pack-

age to meet the specific needs of the power market by

increasing the size of the bottom source pad, thereby

enhancing the thermal and electrical performance. The

lid of the package is grounded to the source to reduce

RF interference.

LCC-18

Features:

Surface Mount

Small Footprint

Alternative to TO-39 Package

Hermetically Sealed

Dynamic dv/dt Rating

Avalanche Energy Rating

Simple Drive Requirements

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

1.8

1.1

7.2

0.11

±20

0.185

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

W/°C

V/ns

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

dv/dt

4.0

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Pckg. Mounting Surface Temp.

Weight

300 (for 5 S)

0.42(typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

1/16/01

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JANTX2N6794	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=1.5A)
JANTX2N6794U	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS
JANTX2N6796	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JANTX2N6796	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=8.0A)
JANTX2N6796E3	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JANTX2N6796U	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
JANTX2N6798	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=5.5A)
JANTX2N6798	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JANTX2N6798E3	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JANTX2N6798U	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)

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