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JANTX2N6802

更新时间: 2024-11-04 12:09:27
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美高森美 - MICROSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 1039K
描述
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557

JANTX2N6802 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.13
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3.5 A最大漏极电流 (ID):2.5 A
最大漏源导通电阻:1.6 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-205AFJESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):25 W最大脉冲漏极电流 (IDM):11 A
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

JANTX2N6802 数据手册

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