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JANTX2N6800

更新时间： 2024-11-03 22:57:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
6页	201K
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POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=3.0A)

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JANTX2N6800 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.12
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	0.51 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	1.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/557	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTX2N6800 数据手册

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Provisional Data Sheet No. PD-9.432B

JANTX2N6800

JANTXV2N6800

[REF:MIL-PRF-19500/557]

HEXFET^®POWER MOSFET

[GENERIC:IRFF330]

N-CHANNEL

400 Volt, 1.0Ω HEXFET

Product Summary

Part Number

JANTX2N6800

JANTXV2N6800

BVDSS

RDS(on)

HEXFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transis-

tors. The efficient geometry achieves very low on-

state resistance combined with high transconductance.

3.0A

400V

1.0Ω

HEXFET transistors also feature all of the well-es-

tablish advantages of MOSFETs, such as voltage

control, very fast switching, ease of paralleling and

electrical parameter temperature stability. They are

well-suited for applications such as switching power

supplies, motor controls, inverters, choppers, audio

amplifiers, and high energy pulse circuits, and virtu-

ally any application where high reliability is required.

Features:

■ Avalanche Energy Rating

■ Dynamic dv/dt Rating

■ Simple Drive Requirements

■ Ease of Paralleling

■ Hermetically Sealed

Absolute Maximum Ratings

Parameter

JANTX2N6800, JANTXV2N6800 Units

@ V

= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current

3.0

@ V

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

2.0

12.0

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery dv/dt ➂

Operating Junction

@ T = 25°C

W/K ➄

0.20

dv/dt

±20

4.0

V/ns

-55 to 150

Storage Temperature Range

Lead Temperature

STG

^oC

(0.063 in. (1.6mm) from

300

case for 10.5 seconds)

0.98 (typical)

Weight

To Order

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N6800E3	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JANTX2N6800U	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED
JANTX2N6802	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.5A)
JANTX2N6802	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JANTX2N6802E3	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JANTX2N6802U	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTOR
JANTX2N6804	INFINEON	获取价格	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)
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JANTX2N682	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, SCR
JANTX2N683	MICROSEMI	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, TO-208

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