Datasheet > 2N6790

2N6790

更新时间： 2024-11-05 14:53:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
7页	915K
描述
200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6790 with Hermetic Packaging

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6790 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	66 mJ
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A	最大漏极电流 (ID)：	3.5 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-205AF	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MILITARY STANDARD (USA)
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6790 数据手册

PD-90427E

IRFF220

JANTX2N6790

JANTXV2N6790

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED

HEXFET^®TRANSISTORS

200V, N-CHANNEL

REF: MIL-PRF-19500/555

THRU-HOLE TO-205AF (TO-39)

Product Summary

Part Number

BVDSS

RDS(on)

I_D

IRFF220

200V

3.5A

0.80

TO-39

Description

Features

The HEXFET^®technology is the key to International

Rectifier’s HiRel advanced line of power MOSFET transistors.

The efficient geometry and unique processing of this latest

“State of the Art” design achieves: very low on state

resistance combined with high trans conductance.

 Repetitive Avalanche Ratings

 Dynamic dv/dt Rating

 Hermetically Sealed

 Simple Drive Requirements

 ESD Rating: Class 1B per MIL-STD-750,

Method 1020

The HEXFET transistors also feature all of the well

established advantages of MOSFETs such as voltage

control, very fast switching and temperature stability of the

electrical parameters.

They are well suited for applications such as switching power

supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers

and high energy pulse circuits.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Value

Parameter

Units

I_D1@ V_GS= 10V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D2@ V_GS= 10V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

3.5

2.25

I_DM@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 25°C

Pulsed Drain Current 

W/°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.16

± 20

0.242

V_GS

E_AS

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

I_AR

E_AR

Avalanche Current 

2.2

2.0

5.0

V/ns

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

dv/dt

T_J

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

Weight

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)

0.98 (Typical)

For Footnotes, refer to the page 2.

2018-12-05

International Rectifier HiRel Products, Inc.

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

2N6790 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFF220	INFINEON	功能相似	200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF220 with Hermetic Packag
JANTX2N6790	INFINEON	功能相似	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=3.5A)
IRFF220	INTERSIL	功能相似	3.5A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET

与2N6790相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6790E	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6790EA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6790EAPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6790EB	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6790EC	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6790ED	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6790TX	RENESAS	获取价格	3.5A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
2N6790TXV	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2N6791	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
2N6792	SEME-LAB	获取价格	N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package

与2N6790相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

7
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6790

2N6790 技术参数

2N6790 数据手册

2N6790 替代型号

与2N6790相关器件

与2N6790相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6790

2N6790 技术参数

2N6790 数据手册

2N6790 替代型号

与2N6790相关器件

与2N6790相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？