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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N6782U | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
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| JANTX2N6784 | INFINEON |
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POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.25A) |
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| JANTX2N6784U | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET-R |
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| JANTX2N6786 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=1.25A) |
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| JANTX2N6786 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| JANTX2N6786U | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTOR |
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| JANTX2N6786U | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| JANTX2N6788 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=6.0A) |
|
| JANTX2N6788E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| JANTX2N6788U | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
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