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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> JANTX2N6788
JANTX2N6788 PDF预览

JANTX2N6788

更新时间： 2024-02-04 15:14:45
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 204K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=6.0A)

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JANTX2N6788 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：LCC
包装说明：CHIP CARRIER, S-CQCC-N18针数：18
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.19Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE ENERGY RATED雪崩能效等级（Eas）：76 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：4.5 A最大漏源导通电阻：0.345 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-CQCC-N18
元件数量：1端子数量：18
工作模式：ENHANCEMENT MODE最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/555
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANTX2N6788 数据手册

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Index  
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Provisional Data Sheet No. PD-9.426B  
JANTX2N6788  
JANTXV2N6788  
[REF:MIL-PRF-19500/555]  
HEXFET® POWER MOSFET  
[GENERIC:IRFF120]  
N-CHANNEL  
100 Volt, 0.30Ω HEXFET  
Product Summary  
Part Number  
JANTX2N6788  
JANTXV2N6788  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transis-  
tors. The efficient geometry achieves very low on-  
state resistance combined with high transconductance.  
6.0A  
100V  
0.30Ω  
HEXFET transistors also feature all of the well-es-  
tablish advantages of MOSFETs, such as voltage  
control, very fast switching, ease of paralleling and  
electrical parameter temperature stability. They are  
well-suited for applications such as switching power  
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers, and high energy pulse circuits, and virtu-  
ally any application where high reliability is required.  
Features:  
■ Avalanche Energy Rating  
■ Dynamic dv/dt Rating  
■ Simple Drive Requirements  
■ Ease of Paralleling  
■ Hermetically Sealed  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
JANTX2N6788, JANTXV2N6788 Units  
I
D
@ V  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
6.0  
GS  
C
A
I
@ V  
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
3.5  
24  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
DM  
@ T = 25°C  
P
20  
W
W/K ➄  
V
D
C
0.16  
±20  
V
GS  
dv/dt  
5.5  
V/ns  
T
J
-55 to 150  
T
STG  
StorageTemperature Range  
Lead Temperature  
oC  
g
(0.063 in. (1.6mm) from  
300  
case for 10.5 seconds)  
0.98 (typical)  
Weight  
To Order  
 
 
 
123456

中文翻译

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JANTX2N6788 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFF120 INFINEON

完全替代

 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
2N6782 INFINEON

功能相似

 100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6782 with Hermetic Packagi
IRFF130 INFINEON

功能相似

 100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF130 with Hermetic Packag

与JANTX2N6788相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N6788E3 MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
JANTX2N6788U INFINEON

获取价格

 		HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
JANTX2N6790 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=3.5A)
JANTX2N6790U ETC

获取价格

 		200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package
JANTX2N6792 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=2.0A)
JANTX2N6792 RENESAS

获取价格

 		2A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
JANTX2N6792U ETC

获取价格

 		400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package
JANTX2N6794 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=1.5A)
JANTX2N6794U INFINEON

获取价格

 		REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS
JANTX2N6796 MICROSEMI

获取价格

 		N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557

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