Datasheet > IRFF120

IRFF120

更新时间： 2024-01-21 04:10:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
7页	134K
描述
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFF120 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.12	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	0.242 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.35 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-205AF	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	110 ns	最大开启时间（吨）：	110 ns
Base Number Matches：	1

IRFF120 数据手册

PD - 90426C

IRFF120

JANTX2N6788

JANTXV2N6788

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED

HEXFET TRANSISTORS

THRU-HOLE (TO-205AF)

REF:MIL-PRF-19500/555

100V, N-CHANNEL

Product Summary

Part Number BVDSS RDS(on)

IRFF120 100V 0.30Ω

6.0A

The HEXFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.

The efficient geometry and unique processing of this latest

“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-

tance combined with high transconductance.

TO-39

The HEXFET transistors also feature all of the well

established advantages of MOSFETs such as volt-

age control, very fast switching, ease of parelleling

and temperature stability of the electrical parameters.

Features:

Repetitive Avalanche Ratings

Dynamic dv/dt Rating

Hermetically Sealed

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

They are well suited for applications such as switch-

ing power supplies, motor controls, inverters, chop-

pers, audio amplifiers and high energy pulse circuits.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

6.0

3.5

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

W/°C

0.16

±20

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

—

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

—

dv/dt

5.5

V/ns

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)

0.98(typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

01/22/01

12 3 4 5 6 7

下载PDF

与IRFF120相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFF120R	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-205AF	获取价格
IRFF121	GE	N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors	获取价格
IRFF121	ROCHESTER	6A, 80V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF	获取价格
IRFF121R	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-205AF	获取价格
IRFF122	GE	N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors	获取价格
IRFF122	VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFF120

IRFF120 技术参数

IRFF120 数据手册

与IRFF120相关器件

与IRFF120相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFF120

IRFF120 技术参数

IRFF120 数据手册

与IRFF120相关器件

与IRFF120相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？