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JANTX2N6788E3

更新时间: 2024-11-04 14:51:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 643K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39,

JANTX2N6788E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.71Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):6 A最大漏源导通电阻:0.3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

JANTX2N6788E3 数据手册

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