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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.13 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 0.82 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.25 A | 最大漏源导通电阻： | 4.15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 5.5 A | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/556 | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFF310 | INFINEON |
完全替代  |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET剖T |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N6786U | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTOR |
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| JANTX2N6786U | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| JANTX2N6788 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=6.0A) |
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| JANTX2N6788E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| JANTX2N6788U | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
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| JANTX2N6790 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=3.5A) |
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| JANTX2N6790U | ETC |
获取价格 |
200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package |
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| JANTX2N6792 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=2.0A) |
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| JANTX2N6792 | RENESAS |
获取价格 |
2A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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| JANTX2N6792U | ETC |
获取价格 |
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package |
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